[发明专利]一种基底制造装置及其制造方法无效
申请号: | 201110092338.0 | 申请日: | 2004-08-20 |
公开(公告)号: | CN102223765A | 公开(公告)日: | 2011-10-19 |
发明(设计)人: | 麦可·巴讷斯;约翰·后兰;杉宏清;布瑞恩·Y·普;摩喜特·杰恩;苏立范;麦可·D·阿马寇斯特;韩森·E·奈尔;戴安娜·玛莉黛欧并;阿修克·K·信哈;丹·麦登 | 申请(专利权)人: | 应用材料有限公司 |
主分类号: | H05K3/00 | 分类号: | H05K3/00;H05K3/02 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 逯长明 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基底 制造 装置 及其 方法 | ||
1.一种基底制造装置,其特征在于,包括:
(a)一个制造腔室,包括:
(i)一个基底支座,用以承载一个基底,该基底具有一个第一区域和一个第二区域;
(ii)一个气体配管,用以将一气体导入该制造腔室中;
(iii)一个气体增能器,以使该气体增能,以便在该基底上形成多个图案;
(iv)一个气体排出口,用以排出该气体;
(b)一个制造监测器,用以:
(i)监测该基底的该第一区域上所形成的具有间隔开且分离开的多个图案的图形的尺寸,并产生一个第一信号;
(ii)监测该基底的该第二区域上所形成的具有间隔开且分离开的多个图案的图形的尺寸,并产生一个第二信号;
(c)一个腔室控制装置,用以接收该第一信号与该第二信号,并操作该基底支座、该气体配管、该气体增能器或该气体排出口,以设定多个制造参数,其中多个制造参数包括一个或多个气体流率、气体压力、气体增能电源的水平以及基底温度,以对多个第一区域与第二区域的图案进行制造,补偿形成在多个第一和第二区域上的图案尺寸上的差异。
2.如权利要求1所述的基底制造装置,其特征在于:所述腔室控制装置中具有程序化编码,以选择并设定多个制造参数,以一个第一制造速率处理该第一区域的多个图案,并同时以一个第二制造速率处理该第二区域的多个图案,以在制造结束时,该第一区域的多个图案的尺寸与该第二区域的多个图案的尺寸大致相同。
3.如权利要求1所述的基底制造装置,其特征在于,所述制造腔室包括:
一个第一制造区块,位于该基底的该第一区域上方;
一个第二制造区块,位于该基底的该第二区域上方;
其中该制造控制装置中具有一可程序化编码,以选择并设定一制造参数,该制造参数在该第一制造区块上设定在一个可控制的第一水平,并在该第二制造区块上设定在一个可控制的第二水平。
4.如权利要求1所述的基底制造装置,其特征在于,所述腔室控制装置中具有一可程序化编码,用以:
(1)将该制造参数设定在该可控制的第一水平,并与该第一信号的大小成比例,并将该制造参数设定在该可控制的第二水平,并与该第二信号的大小成比例;
(2)操作该气体配管,以设定一气体流率,该气体流率在该第一制造区块上设定一第一流率,并在该第二制造区块上设定一第二流率;
(3)操作该气体增能器,以设定一气体增能电源水平,该气体增能电源水平在该第一城区块设定一第一电源水平,并在该第二制造区块上设定一第二电源水平;或
(4)操作位在该制造腔室上方的一个磁场产生器,以设定一可控制的磁场强度,该可控制的磁场强度在该第一制造区块设定一第一磁场强度,并在该第二制造区块设定一第二磁场强度。
5.如权利要求1所述的基底制造装置,其特征在于:所述腔室控制装置中具有程序化编码,所述具有程序化编码的腔室控制装置是依据该第一信号和该第二信号,以由该制程制造控制装置的一内存中所储存的一查询表的多个制造处方中选择一制程制造处方。
6.如权利要求1所述的基底制造装置,其特征在于,所述腔室控制装置中具有一可程序化编码,以改变该制造腔室的该制造参数,使该制造参数从处理一初始基底的初始制造参数改变为处理一批次基底的批次制造参数,其中该批次基底与该初始基底具有相似的特性。
7.如权利要求1所述的基底制造装置,其特征在于,其中形成在该基底的多个图案包括一主方向,所述制造监测器包括:
一个第一干涉仪,用以探测该基底的该第一区域所形成的多个图案的反射光,以产生该第一信号;
一个第二干涉仪,用以探测该基底的该第二区域所形成的多个图案的反射光,以产生该第二信号。
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