[发明专利]调控Ge衬底与TixAlyO薄膜间能带补偿的方法无效
| 申请号： | 201110087697.7 | 申请日： | 2011-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN102194685A | 公开（公告）日： | 2011-09-21 |
| 发明（设计）人： | 李学飞;李爱东;付盈盈;刘晓杰;李辉;吴迪 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 江苏圣典律师事务所 32237 | 代理人： | 贺翔 |
| 地址： | 210093*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 调控 ge 衬底 tixalyo 薄膜 能带 补偿 方法 | ||
1.一种调控Ge衬底与TixAlyO薄膜间能带补偿的方法，其特征在于包括以下步骤：
1）衬底清洗：首先将锗衬底在丙酮、甲醇中依次超声清洗2-10分钟，去除Ge表面的油污，然后将锗衬底移到氢氟酸水溶液中，室温下清洗1-3分钟，接着用去离子水泡1-3分钟，重复若干次，最后将锗衬底用高纯氮气吹干；
2）ALD Al2O3/TiO2纳米叠层薄膜工艺：将步骤1）处理后的锗衬底放入ALD反应室中，进行栅介质层的沉积，其中设定的ALD沉积参数为：反应室温度：200~300 ℃；反应源：沉积Al2O3采用金属源Al(CH3)3和 H2O反应，Al(CH3)3源温为室温；沉积TiO2采用 金属源Ti(OC3H7)4和H2O反应，Ti(OC3H7)4源温为40~80 oC；
沉积过程：以Al2O3为开始层，交替Al2O3和TiO2的沉积循环，沉积过程中，金属源和水源的脉冲都为0.1~0.4 s，根据所要沉积介质层厚度选择脉冲次数，且最终沉积的薄膜中Al/Ti 的摩尔比率为Al：Ti=1：1.2-4.5；每次源脉冲之后，都紧接着用高纯氮气清洗1~10 s，冲掉反应副产物和残留的源；
退火：将沉积薄膜后的锗衬底放于快速退火炉中，在N2保护下，于400~600℃快速退火 30~180 s至室温。
2.根据权利要求1所述的调控Ge衬底与TixAlyO薄膜间能带补偿的方法，其特征在于步骤1）氢氟酸水溶液的重量百分比2-5%。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
