[发明专利]半导体激光器装置及其制造方法无效
申请号: | 201110083417.5 | 申请日: | 2011-04-02 |
公开(公告)号: | CN102214894A | 公开(公告)日: | 2011-10-12 |
发明(设计)人: | 久义浩;田中秀幸;八代正和;幸长则善 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01S5/022 | 分类号: | H01S5/022 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 闫小龙;王忠忠 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体激光器 装置 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及在DVD驱动器、CD驱动器或者激光器TV等中所使用的半导体激光器装置及其制造方法。
背景技术
作为制造成本低的半导体激光器装置,使用利用模塑树脂成型所制造出的模塑封装(例如,参照专利文件1)。在以往的模塑封装中,利用模塑树脂将导线固定在框架上,利用Ag膏或者环氧树脂将副固定件(Submount)接合到框架上,利用AuSn或者SnAg焊料将半导体激光器芯片接合到副固定件上。
对以往的模塑封装的制造方法进行说明。首先,利用焊料将半导体激光器芯片接合到副固定件上。然后,利用Ag膏将接合有该半导体激光器的副固定件粘接在框架上,利用烘烤使Ag膏的溶剂蒸发而固化。然后,为了除去该蒸发后的溶剂所导致的封装表面污染,进行O2等离子体处理。之后,进行引线接合,从排列有多个装置的框架上将半导体激光器装置单片化,并且送到检查工序。
【专利文件1】 日本特开2003-31885号公报。
【专利文件2】 日本特开2007-19470号公报。
由于以往的制造工序复杂,所以,必须使用几种制造装置,还需要必要人员进行各制造装置之间的载物盒移动。虽然能够使盒移动自动化,但是,设备费用庞大。此外,Ag膏或者环氧树脂与焊料相比,热传导较差,所以,还存在元件的高温特性恶化这一问题。
此外,作为CAN封装的制造方法,公知如下方法:在副固定件的上表面和下表面附着焊料,在框架上依次放置副固定件和半导体激光器芯片,对封装整体进行加热,使焊料熔融,同时将彼此接合(例如,参照专利文件2)。对于玻璃密封的CAN封装来说,耐热温度为400℃以上,所以,采用这样的制造方法。但是,对于模塑封装来说,存在树脂部分,所以,耐热温度非常低。因此,不能采用对封装整体进行加热的制造方法。
发明内容
本发明是为了解决上述课题而提出的,其目的在于得到能够低价且简单地制造的在高温特性方面优良的半导体激光器装置及其制造方法。
本发明的半导体激光器装置的特征在于,具有:框架;导线,利用模塑树脂固定在所述框架上;副固定件,利用第一焊料接合在所述框架上;半导体激光器芯片,利用第二焊料接合在所述副固定件上,其中所述模塑树脂的耐热温度比所述第一以及第二焊料的熔点高。
根据本发明,能够得到可低价且简单地制造的在高温特性方面优良的半导体激光器装置及其制造方法。
附图说明
图1是表示实施方式1的半导体激光器装置的平面图。
图2是表示实施方式1的半导体激光器装置的剖面图。
图3是用于说明实施方式1的半导体激光器装置的制造方法的平面图。
图4是用于说明实施方式1的半导体激光器装置的制造方法的剖面图。
图5是用于说明实施方式1的半导体激光器装置的制造方法的平面图。
图6是用于说明实施方式1的半导体激光器装置的制造方法的平面图。
图7是用于说明实施方式1的半导体激光器装置的制造方法的剖面图。
图8是用于说明实施方式1的半导体激光器装置的制造方法的平面图。
图9是用于说明实施方式1的半导体激光器装置的制造方法的平面图。
图10是表示比较例的半导体激光器装置的剖面图。
图11是将实施方式3的半导体激光器装置放大后的剖面图。
图12是表示试制实施方式3的半导体激光器装置并实施了可靠性试验的结果的图。
图13是表示试制实施方式3的半导体激光器装置并实施了可靠性试验的结果的图。
图14是将实施方式4的半导体激光器装置放大后的剖面图。
其中附图标记说明如下:
1 框架
2 模塑树脂
3 导线
4 焊料(第一焊料)
5 副固定件
6 焊料(第二焊料)
7 半导体激光器芯片
11 Au镀层
13 Pt层(第一Pt层)
14 Ti层(高熔点金属层)
15 Pt层(第二Pt层)。
具体实施方式
参照附图,对本发明的实施方式的半导体激光器装置及其制造方法进行说明。对相同的构成要素标注相同的附图标记,有时省略重复说明。
实施方式1
图1是示出实施方式1的半导体激光器装置的平面图,图2是其剖面图。
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