[发明专利]半导体激光器装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体激光器装置，其特征在于，具有：

框架；

导线，利用模塑树脂固定在所述框架上；

副固定件，利用第一焊料接合在所述框架上；以及

半导体激光器芯片，利用第二焊料接合在所述副固定件上，

所述模塑树脂的耐热温度比所述第一以及第二焊料的熔点高。

2.如权利要求1所述的半导体激光器装置，其特征在于，

所述模塑树脂是热硬化性树脂或者热可塑性树脂。

3.如权利要求1所述的半导体激光器装置，其特征在于，

所述模塑树脂是热可塑性树脂，

所述第一以及第二焊料是SnAg焊料。

4.如权利要求1所述的半导体激光器装置，其特征在于，

所述半导体激光器芯片具有Au镀层，

所述第一焊料是SnAg焊料，

在所述半导体激光器芯片的所述Au镀层和所述副固定件的所述第一焊料之间设置有第一Pt层。

5.如权利要求4所述的半导体激光器装置，其特征在于，

所述第一Pt层的厚度为150nm以上且350nm以下。

6.如权利要求1所述的半导体激光器装置，其特征在于，

所述第一以及第二焊料是SnAg焊料，

在所述副固定件的表面形成有高熔点金属层，

在所述高熔点金属层上形成有第二Pt层，

所述第二Pt层与所述第一以及第二焊料相接触。

7.一种半导体激光器装置的制造方法，其特征在于，具有：

利用模塑树脂将导线固定在框架上的工序；

将在上表面和下表面分别附着有第一焊料和第二焊料的副固定件放置在所述框架上的工序；

将半导体激光器芯片放置在所述框架上的工序；以及

对所装载的所述框架、所述副固定件以及所述半导体激光器芯片进行加热，使所述第一以及第二焊料熔融，利用所述第一焊料将所述副固定件接合到所述框架上，利用所述第二焊料将所述半导体激光器芯片接合到所述副固定件上，

所述模塑树脂的耐热温度比所述第一以及第二焊料的熔点高。

8.如权利要求7所述的半导体激光器装置的制造方法，其特征在于， 

在利用所述模塑树脂将所述导线固定在所述框架上之后，还具有在所述框架以及所述导线的表面形成镀层的工序，

所述模塑树脂是热硬化性树脂。

9.如权利要求7所述的半导体激光器装置的制造方法，其特征在于，还具有：

在所述框架以及所述导线的表面形成镀层的工序；以及

在形成所述镀层之后，利用冲压在所述框架上形成下安装件的工序。