[发明专利]一种全抛釉用熔块及其制备方法有效
| 申请号： | 201110080385.3 | 申请日： | 2011-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN102219382A | 公开（公告）日： | 2011-10-19 |
| 发明（设计）人： | 韦斐;张翼;陈奕 | 申请（专利权）人： | 广东道氏技术股份有限公司 |
| 主分类号： | C03C8/04 | 分类号： | C03C8/04 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 谭英强 |
| 地址： | 529400 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 全抛釉用熔块 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种全抛釉用熔块，由甲、乙两种熔块混合而成，其中，甲熔块的组成为：Al2O3 2～10份、SiO2 50～70份、CaO15～30份、K2O 1～4份、Na2O 1～4份、MgO 1～4 份，ZnO 1～4份；乙熔块的组成为：Al2O3 15～30份、SiO2 30～50份、CaO 15～30份、K2O 1～5份、Na2O 1～5份、MgO 1～4份，ZnO 1～4份，所述份数为质量份。
2.根据权利要求1所述的一种全抛釉用熔块，其特征在于：甲、乙两种熔块质量混合比为30～150：100。
3.权利要求1所述的全抛釉用熔块的制备方法，包括以下步骤：
根据甲、乙两种熔块的组成，分别称取原料，并将原料混合；
将混合好的原料于1500～1580℃熔制好，分别得到甲、乙两种熔块；
将熔制好的熔块破碎。
4.根据权利要求3所述的全抛釉用熔块的制备方法，其特征在于：熔制好的熔块破碎至细度低于250目。
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