[发明专利]发光器件

说明书

相关申请的参考

本申请要求在韩国知识产权局于2010年3月25日提交的韩国专利申请No.10-2010-0026931的优先权，其全部其内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明涉及发光器件和照明系统。

背景技术

发光二极管(LED)是使用化合物半导体的特性将电信号转换为光的器件。LED现在被应用于诸如家用电器、遥控器、电子板、显示器、各种自动装置等等的装置并且它们的应用范围继续扩大。

随着LED的应用范围扩大，日常使用中的灯和建筑物信号的灯要求的亮度增加。因此，重要的是，增加LED的发光效率。然而，生长在诸如蓝宝石衬底的异质衬底上的诸如GaN的半导体层由于半导体层和异质衬底之间的晶格错配导致具有晶体缺陷。这些缺陷可能对发光器件的可靠性具有反面影响并且吸收光，从而减少其亮度。

发明内容

因此，鉴于上述问题已经提出本实施例，提供通过电流的有效扩散提高亮度并且减少晶体缺陷的发光器件。

根据本实施例的一个方面，通过提供发光器件能够完成上述和其它的实施例，该发光器件包括：支撑构件；和在支撑构件上的发光结构，该发光结构包括第一半导体层、至少一个中间层、有源层以及第二半导体层，其中中间层处于有源层的上区域和下区域中的至少一个上并且包括至少四个层，其中所述层具有不同的带隙，并且其中，在所述层当中，具有最大的带隙的层接触具有最小的带隙的层。

此外，具有最大的带隙的层可以包括AlGaN并且具有最小的带隙的层可以包括InN。

附图说明

结合附图，根据以下详细描述，将会更加清楚地理解本实施例，其中：

图1A是示出根据实施例的发光器件的横截面的截面图；

图1B是示出根据实施例的发光器件的横截面的截面图；

图2是示出图1A中所示的发光器件的A区域的部分放大图；

图3A是示出根据实施例的发光器件的横截面的截面图；

图3B是示出根据实施例的发光器件的横截面的截面图；

图4是示出根据实施例的发光器件的横截面的截面图；

图5A是示出根据实施例的发光器件的横截面的截面图；

图5B是示出根据实施例的发光器件的横截面的截面图；

图6A是示出包括根据实施例的发光器件的发光器件封装的透视图；

图6B是示出包括根据实施例的发光器件的发光器件封装的截面图；

图6C是示出包括根据实施例的发光器件的发光器件封装的截面图；

图7A是示出包括发光器件封装的照明装置的透视图；

图7B是示出包括发光器件封装的照明装置的截面图；

图8是示出包括根据实施例的发光器件的液晶显示器的分解透视图；以及

图9是示出包括根据实施例的发光器件的液晶显示器的分解透视图。

具体实施方式

现在将会详细地参考本发明的实施例，在附图中示出其示例。在可能的地方，在附图中将会使用相同的附图标记来表示相同或者类似的部件。

在实施例的描述之前，将会理解的是，当诸如层(膜)、区域、图案或者结构的元件被称为在诸如衬底、层(膜)、区域、焊盘、或者图案的另一元件“上”或者“下”时，它能够直接地在另一元件“上”或者“下”或者在其间间接地形成有中间元件。此外，将会基于附图中的图示描述每层的“上”或者“下”。

在下文中，将会参考附图更加详细地描述本实施例。

图1A和图1B是示出根据实施例的发光器件的横截面的截面图。

首先，参考图1A和图1B，发光器件100包括：支撑构件110和被布置在支撑构件110上的发光结构120，该发光结构120包括第一半导体层122、第一中间层130、有源层124以及第二中间层126。

支撑构件110可以由从蓝宝石(Al₂O₃)、GaN、SiC、ZnO、Si、GaP以及GaAs中选择的透光材料构成并且不限于此。另外，支撑构件110可以是具有比蓝宝石(Al₂O₃)支撑构件高的导热性的SiC支撑构件。优选地，支撑构件110具有比第一半导体层122小的折射率以提高光提取效率。

同时，构图衬底(PSS)结构可以被设置在支撑构件110上以提高光提取效率。在此提及的支撑构件110可以具有或者可以不具有PSS结构。