[发明专利]发光器件

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

支撑构件；和

在所述支撑构件上的发光结构，所述发光结构包括第一半导体层、至少一个中间层、有源层以及第二半导体层，

其中所述中间层处于所述有源层的上区域和下区域中的至少一个上并且包括至少四个层，

其中所述层具有不同的带隙，并且

其中，在所述层当中，具有最大的带隙的层接触具有最小的带隙的层。

2.根据权利要求1所述的器件，其中所述中间层中的至少一个接触所述有源层。

3.根据权利要求1所述的器件，其中所述中间层中的至少一个与所述有源层隔开第一距离，

其中所述第一距离是1nm至100nm。

4.根据权利要求1所述的器件，其中，所述具有最大的带隙的层包括AlGaN。

5.根据权利要求1所述的器件，其中，所述具有最小的带隙的层包括InN。

6.根据权利要求1所述的器件，其中所述层中的至少一个包括GaN或者InGaN。

7.根据权利要求1所述的器件，其中所述中间层具有其中重复层压所述层的超晶格结构。

8.根据权利要求1所述的器件，其中每个层具有5至的厚度。

9.根据权利要求1所述的器件，其中所述层中的至少一个被掺杂有n或者p型杂质。

10.根据权利要求1所述的器件，其中所述层中的至少一个是没有被掺杂的未掺杂的层。