[发明专利]发光器件

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求在韩国知识产权局于2010年3月25日提交的韩国专利申请No.10-2010-0026930的优先权，其全部其内容通过引用合并于此。

技术领域

本发明涉及发光器件、发光器件封装以及照明系统。

背景技术

发光二极管(LED)是使用化合物半导体的特性将电信号转换为光的器件。LED现在被应用于诸如家用电器、遥控器、电子板、显示器、各种自动装置等等的装置并且它们的应用范围逐渐扩大。

通常，以表面安装器件型制造小型化的LED使得它能够直接地安装在印制电路板(PCB)上。因此，也以表面安装器件开发用作显示装置的LED灯。这样的表面安装器件可以替代传统的灯并且用作照明显示、字符显示、图像显示等等。

随着LED的应用范围扩大，日常使用中的灯和建筑物信号的灯要求的亮度增加。因此，重要的是，增加LED的发光效率。

发明内容

因此，鉴于上述问题已经提出本实施例，并且本实施例提供发光器件、发光器件封装以及照明系统。

根据本实施例的一个方面，通过提供发光器件能够完成上述和其它的实施例，该发光器件包括：衬底；在衬底上的发光结构，该发光结构包括在衬底上的第一半导体层、有源层以及第二半导体层；在第二半导体层上的透光电极层；以及在透光电极层上的第一反射层，其中所述第一反射层包括具有第一折射率的第一层和具有不同于第一折射率的第二折射率的第二层。

而且，第一层可以具有比第二层低的折射率。

而且，第一层可以具有1.4至1.6的折射率。

而且，第一层和第二层中的至少一个可以包括SiO₂、Al₂O₃以及TiO₂中的至少一个。

而且，第一层和第二层可以被重复地交替层压。

而且，第一层和第二层可以具有2□至10um的厚度。

而且，所述器件可以进一步包括：在第一半导体层的部分暴露的顶部上的第一电极焊盘；和在第二半导体层上的第二电极焊盘，其中所述第一反射层处于透光电极层的顶部和第一半导体层的暴露的顶部上。

而且，第一反射层可以沿着有源层和第二半导体层的侧面从透光电极层的顶部延伸到第一半导体层的顶部。

而且，所述器件可以进一步包括：在第二半导体层上的第二反射层，使得第二反射层至少部分地垂直地重叠第二电极焊盘，其中所述第二反射层包括具有第三折射率的第三层和具有不同于第三折射率的第四折射率的第四层。

而且，所述器件可以进一步包括：开口，该开口被设置在透光电极层的区域中，其中所述第二电极焊盘位于开口上并且第二反射层接触第二电极焊盘和第二半导体层。

而且，第三层可以具有比第四层低的折射率。

而且，第三层可以具有1.4至1.6的折射率。

而且，第三层和第四层中的至少一个可以包括SiO₂、Al₂O₃以及TiO₂中的至少一个。

而且，第三层和第四层可以重复交替层压。

而且，第三层和第四层可以具有2□至10um的厚度。

而且，第二反射层的宽度可以比第二电极焊盘的宽度大。

而且，所述器件可以进一步包括：在衬底上的缓冲层。

而且，所述器件可以进一步包括：在第一反射层的外表面上的冲击缓冲层。

附图说明

本实施例的以上和其它特征以及其它的优点涉及一种发光器件，结合附图根据以下详细描述将会更加清楚地理解发光器件，其中：

图1A是示出根据实施例的发光器件的横截面的截面图；

图1B是示出根据实施例的发光器件的横截面的截面图；

图1C是示出根据实施例的发光器件的横截面的截面图；

图1D是示出根据实施例的发光器件的横截面的截面图；

图2A是示出根据实施例的发光器件的横截面的截面图；

图2B是示出根据实施例的发光器件的横截面的截面图；

图2C是示出根据实施例的发光器件的横截面的截面图；

图3是示出图1A中所示的发光器件的A区域的部分放大图；

图4是示出其中发光器件被倒装芯片结合到封装基板的状态的视图；

图5A是示出包括根据实施例的发光器件的发光器件封装的透视图；

图5B是示出包括根据实施例的发光器件的发光器件封装的截面图；