[发明专利]发光器件

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

衬底；

在所述衬底上的发光结构，所述发光结构包括第一半导体层、有源层以及第二半导体层；

在所述第二半导体层上的透光电极层；以及

在所述透光电极层上的第一反射层，

其中所述第一反射层包括具有第一折射率的第一层和具有不同于所述第一折射率的第二折射率的第二层。

2.根据权利要求1所述的器件，其中所述第一层具有1.4至1.6的折射率。

3.根据权利要求1所述的器件，其中所述第一层和第二层中的至少一个包括SiO₂、Al₂O₃以及TiO₂中的至少一个。

4.根据权利要求1所述的器件，其中所述第一层和第二层重复交替层压。

5.根据权利要求1所述的器件，其中所述第一层和第二层具有2□至10um的厚度。

6.根据权利要求1所述的器件，进一步包括：

在所述第一半导体层的部分地暴露的顶部上的第一电极焊盘；和

在所述第二半导体层上的第二电极焊盘，

其中所述第一反射层位于所述透光电极层的顶部和所述第一半导体层的暴露的顶部上。

7.根据权利要求6所述的器件，其中所述第一反射层沿着所述有源层和所述第二半导体层的侧面从所述透光电极层的顶部延伸到所述第一半导体层的顶部。

8.根据权利要求6所述的器件，进一步包括：

第二反射层，

其中所述第二反射层至少部分地垂直地重叠所述第二电极焊盘并且包括具有第三折射率的第三层和具有不同于所述第三折射率的第四折射率的第四层。

9.根据权利要求8所述的器件，进一步包括：

开口，所述开口被设置在所述透光电极层的区域中，

其中所述第二电极焊盘处于所述开口上，并且所述第二反射层接触所述第二电极焊盘和所述第二半导体层。

10.根据权利要求8所述的器件，其中所述第二反射层的宽度比所述第二电极焊盘的宽度大。