[发明专利]消除栅极侧壁再沉积的方法和半导体器件

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，更具体地说，本发明涉及一种消除栅极侧壁再沉积的方法，以及一种采用所述消除栅极侧壁再沉积的方法而得到的半导体器件。

背景技术

在半导体制造工艺过程中，为了形成期望的栅极结构，不可避免地需要用到刻蚀工艺。

然而，在利用例如干法刻蚀工艺来刻蚀栅极的过程中，尤其是在制造比较复杂的栅极结构的刻蚀过程中，现有技术存在一些问题。具体地说，一般的，在采用了材料钨(W)的MOSFET(金属-氧化物-半导体)场效应晶体管的栅极的蚀刻工艺过程中，由于基于钨的产物在刻蚀(例如干法刻蚀)过程中不易被有效去除，这些未有效剥离的基于钨的聚合物会沉积在栅极侧壁，尤其是钨再沉积。

并且，在栅极刻蚀工艺之后的刻蚀清洗工艺中，很难将基于钨的聚合物从侧壁上剥离下来而不影响栅极的形貌这会降低器件的可靠性，从而降低电路的性能。

所以，希望能够提出一种能够消除这种不期望出现的金属再沉积(尤其是钨再沉积)的方法。

发明内容

本发明的一个目的就是提供一种能够而且，即使沉积了基于钨的聚合物，也比现有技术更容易在后续的刻蚀清洗工艺中从侧壁上剥离下来的方法、以及由此得到的半导体器件。

根据本发明的第一方面，提供了一种消除栅极侧壁再沉积的方法，该消除栅极侧壁再沉积的方法包括：栅极侧壁杂质剥离步骤，用于将栅极侧壁杂质从栅极侧壁剥离出去，并且其中，所述栅极侧壁杂质剥离步骤包括一个栅极金属相关层蚀刻步骤。

优选地，在上述消除栅极侧壁再沉积的方法中，栅极的材料是钨或者含有钨的合金。

优选地，在上述消除栅极侧壁再沉积的方法中，所述栅极侧壁杂质为基于钨的聚合物。

优选地，在上述消除栅极侧壁再沉积的方法中，所述栅极侧壁杂质剥离步骤是通过刻蚀步骤完成的。

优选地，在上述消除栅极侧壁再沉积的方法中，在所述栅极金属相关层蚀刻步骤中，采用了氦气流将栅极侧壁杂质从栅极侧壁剥离出去。

优选地，在上述消除栅极侧壁再沉积的方法中，所述栅极侧壁杂质剥离步骤的功率不小于600W。

优选地，在上述消除栅极侧壁再沉积的方法中，所述栅极金属相关层蚀刻步骤氦气流的体积流量不小于100sccm。

优选地，在上述消除栅极侧壁再沉积的方法中，所述栅极侧壁杂质剥离步骤的压力不大于25mt。

根据本发明的第一方面的消除栅极侧壁再沉积的方法能够在很大程度上消除现有技术中存在的不期望出现的金属再沉积(尤其是钨再沉积)现象。而且，即使沉积了基于钨的聚合物，也比现有技术更容易在后续的刻蚀清洗工艺中从侧壁上剥离下来。

根据本发明的第二方面，提供了一个采用根据本发明第一方面所述的消除栅极侧壁再沉积的方法而得到的半导体器件。

例如，所述半导体器件为金属氧化物半导体场效应晶体管。

并且，由于采用了根据本发明第一方面所述的消除栅极侧壁再沉积的方法，因此，本领域技术人员可以理解的是，根据本发明第二方面的半导体器件(例如金属氧化物半导体场效应晶体管)同样能够实现根据本发明的第一方面的半导体器件制造方法所能实现的有益技术效果。

附图说明

结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本发明有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中：

图1示意性地示出了根据现有技术的半导体器件的栅极加工工艺的示意图；以及

图2示意性地示出了本发明的一个优选实施例的消除栅极侧壁再沉积的方法的示意图。

需要说明的是，附图用于说明本发明，而非限制本发明。并且，附图中相同或相似的元素被标以相同或相似的参考标号。

具体实施方式

为了使本发明的内容更加清楚和易懂，下面结合具体实施例和附图对本发明的内容进行详细描述。

图1示意性地示出了根据现有技术的半导体器件的栅极加工工艺的示意图。如图所示，在现有技术中，在栅极的蚀刻工艺中，栅极(在本实施例中为钨栅极)金属相关层蚀刻未采用大流量氦(He)气流，以及剥离步骤采用了较低功率和大约80mt(“millitorr”，毫托或微米汞柱)的原位(in-situ)剥离压力。

但是，在该工艺条件下，如图1中的箭头所示出的，基于钨的聚合物几乎不受气流的影响，最终仍沉积在栅极侧壁上，由此出现了钨再沉积。