[发明专利]消除栅极侧壁再沉积的方法和半导体器件无效
| 申请号： | 201110076567.3 | 申请日： | 2011-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN102176429A | 公开（公告）日： | 2011-09-07 |
| 发明（设计）人： | 任晓辉;奚裴 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 消除 栅极 侧壁 沉积 方法 半导体器件 | ||
1.一种消除栅极侧壁再沉积的方法，其特征在于包括：
栅极侧壁杂质剥离步骤，用于将栅极侧壁杂质从栅极侧壁剥离出去，并且其中，所述栅极侧壁杂质剥离步骤包括一个栅极金属相关层蚀刻步骤。
2.根据权利要求1所述的消除栅极侧壁再沉积的方法，其特征在于，其中栅极的材料包含钨或者含有钨的合金。
3.根据权利要求1或2所述的消除栅极侧壁再沉积的方法，其特征在于，其中所述栅极侧壁杂质为基于钨的聚合物。
4.根据权利要求1或2所述的消除栅极侧壁再沉积的方法，其特征在于，其中所述栅极侧壁杂质剥离步骤是通过刻蚀步骤完成的。
5.根据权利要求1或2所述的消除栅极侧壁再沉积的方法，其特征在于，其中在所述栅极金属相关层蚀刻步骤中，采用了氦气流将栅极侧壁杂质活化便于后续步骤剥离。
6.根据权利要求5所述的消除栅极侧壁再沉积的方法，其特征在于，其中所述栅极侧壁杂质剥离步骤的功率不小于600W。
7.根据权利要求5所述的消除栅极侧壁再沉积的方法，其特征在于，其中所述栅极金属相关层蚀刻步骤氦气流的体积流量不小于100sccm。
8.根据权利要求5所述的消除栅极侧壁再沉积的方法，其特征在于，其中所述栅极侧壁杂质剥离步骤的压力不大于25mt。
9.一种采用权利要求1至8之一所述的消除栅极侧壁再沉积的方法而得到的半导体器件。
10.根据权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，其中所述半导体器件为金属氧化物半导体场效应晶体管。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
