[发明专利]晶片的加工方法

说明书

技术领域

本发明涉及切割半导体晶片来形成单个芯片的加工方法。

背景技术

在背面研磨工序后进行的晶片单片化工序(以下称切割工序)中，目前晶片电路形成面为裸露的状态。因此，前提为，切割时的切削水、由晶片切削所产生的切削碎屑等粉尘等附着于电路形成面，暴露的电子部件表面的电路形成面被污染。由于这种污染，有可能引起不良。在该情况下，考虑将保护胶带贴附于晶片的电路形成面，将晶片与保护胶带一起切割，从而保护电子部件以免受切削碎屑等粉尘等的影响。然而，用现有的保护胶带难以从单片化了的晶片分别剥离除去保护胶带，因此没有实现实用化。

进而，近年来，半导体晶片向薄型化(50nm以下)发展。作为其理由，可列举出在制作使用了半导体晶片的器件时提高器件的散热性、改进电特性、降低电力消耗、小型化。在磨削和研磨(背面研磨)半导体晶片的工序中，一般使用磨削保护胶带(背面研磨胶带)。背面研磨胶带用于在保护半导体晶片的图案表面且保持半导体晶片的同时磨削半导体晶片的背面，使半导体晶片减薄。

削薄的半导体晶片置于切割胶带上，暂时固定，在剥下背面研磨胶带之后切断为小片。为了回收小片化的半导体晶片的芯片，需要从切割胶带剥离(拾取)。虽然提出了各种剥离方法，但最有代表性的方法是用顶针顶举切割胶带背面的方法。在通常的用顶针顶举的方法中，通过使顶针的顶举变高，可以容易地剥离。然而，在薄型的硅片芯片中，过高地顶举顶针时，芯片有时破裂，会降低芯片的可靠性、成品率。

专利文献1中记载了一种方法，该方法通过在切割之后加热芯片来使切割保护胶带热收缩，从而使切割保护胶带容易地从芯片表面除去。

在该方法中，由热收缩产生的切割保护胶带的变形引起了皱皱巴巴等胡乱的形状变形。其结果，皱褶的凹凸的凸部与基板之间产生了细小的间隙，不能使半导体芯片从粘接于其下层的切割胶带稍微浮起，而且由于在切割了的晶片的拾取工序之前剥离切割保护胶带，因此不能消除上述芯片破裂等的产生。

因此，为了解决芯片破裂的问题，专利文献2中提出了一种方法作为半导体芯片的制造方法，该方法包括以下工序：通过切割胶带将在表面形成有电路的半导体晶片的背面固定的工序；将双面粘合片贴合于该电路面，在该状态下切断分离双面粘合片和半导体晶片，将半导体晶片切割为各个电路来形成半导体芯片的工序，所述双面粘合片由收缩性基材和设置于该基材的两面的粘合剂层构成，且至少一方的粘合剂层由能量射线固化型粘合剂构成；经由该双面粘合片的另一方的粘合剂层将半导体芯片固定在透明硬质板上的工序；接着，剥离除去该切割胶带，从上述透明硬质板侧将能量射线照射于双面粘合片，使双面粘合片的基材收缩之后，拾取半导体芯片的工序。

然而，在该方法中，与以往方法的切割→拾取工序相比具有工序数增加的缺点。

这样，以往的方法中，由于拾取芯片的时候是在切割保护胶带剥离之后，因此根据晶片的材质、特别是薄型化的厚度等条件，在这些方法中会存在难以在不增加工序数和芯片不会破裂的状态下通过拾取得到小片化的芯片的问题。

特别是，切割胶带具有能以充分的粘接强度固定晶片以防止切割时晶片破裂、缺口、移动等的性质。而且，将晶片薄型化时需求更高的粘接强度，因此在拾取切割而得到的芯片时，不论切割保护薄膜是否粘接于该小片上，都需要提供对抗该高粘接强度的力，为了提供这种力而设置拾取条件时，进一步，有可能产生芯片破裂、缺口、制造工序的线速度、成品率降低。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2003-197567号公报

专利文献2：日本特开2001-217212号公报

发明内容

发明要解决的问题

本发明的课题是提供一种方法，其预先将切割用表面保护片贴附于晶片表面，且在切割工序中与晶片一起切断，从而保护晶片表面不受由切削碎屑等粉尘等的附着引起的污染，而且，此后在得到小片化的晶片即芯片的切割工序中，可靠地拾取晶片而不使晶片破裂，通过该方法，切断的保护胶带会防止晶片、切割胶带、切割环的污染，提高成品率。

用于解决问题的方案

用于解决上述的课题的手段如下所述。