[发明专利]晶片的加工方法

权利要求书

1.一种加工方法，所述方法为将切割用表面保护片贴附于半导体晶片，并且将切割胶带贴附在该晶片的背面侧，然后将该晶片与切割用表面保护片一起小片化来形成芯片，其特征在于，给予该切割用表面保护片刺激来产生收缩应力，从而使芯片的一部分从切割胶带剥离，此后，将该芯片从切割胶带剥离。

2.根据权利要求1所述的加工方法，其中，切割用表面保护片的至少一层由热收缩性的薄膜构成，且使用的切割用表面保护片使用了在40～180℃的温度范围显示3～90％的热收缩率的热收缩性薄膜。

3.根据权利要求1或2所述的加工方法，其中，使用的切割用表面保护片具有在40～75℃的加热下的粘合力为0.01N/20mm以上的粘合力，所述粘合力为在相对于硅片90°剥离、拉伸速度300mm/min的条件下的粘合力。

4.根据权利要求1～3中的任一项所述的加工方法，其中，在贴附切割胶带之前，将该晶片的背面侧研磨或蚀刻至规定的厚度。