[发明专利]发光二极管驱动装置有效
申请号: | 201110075775.1 | 申请日: | 2011-03-23 |
公开(公告)号: | CN102638918A | 公开(公告)日: | 2012-08-15 |
发明(设计)人: | 曾扬玳 | 申请(专利权)人: | 力林科技股份有限公司 |
主分类号: | H05B37/02 | 分类号: | H05B37/02;G01R19/00 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 刘芳 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 驱动 装置 | ||
1.一种发光二极管驱动装置,适于驱动至少一发光二极管串,而该发光二极管驱动装置包括:
一功率开关,其第一端耦接至一第一节点,而其第二端则耦接至一第二节点,其中该发光二极管串耦接在一直流电压与该第一节点之间;
一第一电阻,耦接在该第二节点与一接地电位之间;以及
一控制晶片,耦接该功率开关的控制端以及该第一与该第二节点,用以在该发光二极管驱动装置的一启动期间,反应于该第二节点的电压与一稳定电压而产生一驱动信号来切换该功率开关,从而使得该发光二极管串运行在一定电流之下而发光,并且反应于该第一节点的电压而获得一检测电压以与一预设电压进行比较,从而当该检测电压高于该预设电压时,停止产生该驱动信号。
2.根据权利要求1所述的发光二极管驱动装置,其中该控制晶片还用以在该发光二极管驱动装置的一关闭期间,限制流经该发光二极管串的电流,从而使得该发光二极管串停止发光。
3.根据权利要求2所述的发光二极管驱动装置,其中该控制晶片包括:
一驱动单元,耦接该功率开关的控制端与该第二节点,用以在该发光二极管驱动装置的该启动期间,反应于一控制信号而比较该第二节点的电压与该稳定电压,并据以产生该驱动信号来切换该功率开关,从而使得该发光二极管串运行在该定电流之下而发光;
一检测单元,耦接该第一节点,用以在该发光二极管驱动装置的该启动期间,反应于一使能信号而检测该第一节点的电压,藉以获得该检测电压以与该预设电压进行比较,从而当该检测电压高于该预设电压时,发出一错误信号;以及
一控制主体,耦接该驱动单元与该检测单元,用以产生该控制信号与该使能信号以分别控制该驱动单元与该检测单元的运作,并且反应于该错误信号而控制该驱动单元停止产生该驱动信号。
4.根据权利要求3所述的发光二极管驱动装置,其中该检测单元还用以在该发光二极管驱动装置的该关闭期间,反应于该使能信号而限制流经该发光二极管串的电流,从而使得该发光二极管串停止发光。
5.根据权利要求4所述的发光二极管驱动装置,其中该检测单元包括:
一第一晶体管,其漏极耦接该第一节点,而其基极则用以接收一参考电压;
一第二晶体管,其栅极用以接收该使能信号,其漏极耦接该第一晶体管的栅极,而其源极则耦接该接地电位;
一第二电阻,其第一端耦接该第一晶体管的源极,而其第二端则用以产生该检测电压;
一第三电阻,其第一端耦接该第二电阻的第二端,而其第二端则耦接至该接地电位;
一第四电阻,其第一端耦接该第一晶体管的栅极,而其第二端则耦接该第一晶体管的源极;以及
一比较器,其一输入端耦接该第二电阻的第二端以接收该检测电压,其另一输入端用以接收该预设电压,而其输出端则用以输出该错误信号。
6.根据权利要求5所述的发光二极管驱动装置,其中
该第一晶体管为一N通道空乏型金属氧化物半导体场效晶体管;以及
该第二晶体管为一N通道增强型金属氧化物半导体场效晶体管。
7.根据权利要求4所述的发光二极管驱动装置,其中该检测单元包括:
一第一晶体管,其漏极耦接该第一节点,而其基极则用以接收一参考电压;
一第二晶体管,其栅极用以接收该使能信号,其漏极耦接该第一晶体管的栅极,而其源极则耦接该接地电位;
一第二电阻,其第一端耦接该第一晶体管的源极;
一第三电阻,其第一端耦接该第二电阻的第二端;
一第四电阻,其第一端耦接该第一晶体管的栅极,而其第二端则耦接该第一晶体管的源极;
一第三晶体管,其栅极与漏极耦接该第三电阻的第二端,而其源极则耦接至该接地电位;
一第四晶体管,其栅极耦接该第三晶体管的栅极,而其源极则耦接至该接地电位;
一第五晶体管,其源极耦接至一系统电压,而其栅极与漏极则耦接该第四晶体管的漏极;
一第六晶体管,其源极耦接至该系统电压,而其栅极则耦接该第五晶体管的栅极;
一第五电阻,其第一端耦接该第六晶体管的漏极以产生该检测电压,而其第二端则耦接至该接地电位;以及
一比较器,其一输入端耦接该第五电阻的第一端以接收该检测电压,其另一输入端用以接收该预设电压,而其输出端则用以输出该错误信号。
8.根据权利要求7所述的发光二极管驱动装置,其中
该第一晶体管为一N通道空乏型金属氧化物半导体场效晶体管;
该第二至该第四晶体管分别为一N通道增强型金属氧化物半导体场效晶体管;以及
该第五与该第六晶体管分别为一P通道增强型金属氧化物半导体场效晶体管。
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