[发明专利]半导体发光芯片

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体发光芯片。

背景技术

由于照明应用将是半导体发光技术市场化的主要方向，因此，如何提高半导体发光芯片的发光效率已成为业界亟待解决的技术问题。然而，现有半导体发光芯片的n型电极通常设置在作为发光面之一的n型半导体层的顶面上，从而会降低半导体发光芯片的发光效率。

发明内容

鉴于此，有必要提供一种具有高发光效率的半导体发光芯片。

一种半导体发光芯片，其包括基板、设置在该基板上的发光结构层及第一电极。所述发光结构层包括依次排布的第一半导体层、发光层及第二半导体层，该发光结构层内还形成有至少一离子注入区，该离子注入区由所述第二半导体层底面贯穿发光层并延伸至第一半导体层内部，各离子注入区内开设有由第二半导体层底面贯穿至第一半导体层内部的容置槽。所述第一电极包括设置在基板与发光结构层之间的基底及由基底延伸而出的至少一连接部，该至少一连接部对应地设置于容置槽内并与第一半导体层电连接。

所述半导体发光芯片通过将所述第一电极埋设在半导体发光芯片的内部以使得作为发光面之一的第一半导体顶面不会受到遮蔽，从而提高半导体发光芯片的出光效率。而且，埋设在内部的第一电极的接触面积可做得比较大，从而降低电流密度，可减缓因电流密度升高而使发光效率下降的现象，使得半导体发光芯片可以承受更高的操作电流。

下面参照附图，结合具体实施例对本发明作进一步的描述。

附图说明

图1为本发明第一实施方式所提供的半导体发光芯片的结构示意图。

图2为本发明第二实施方式所提供的半导体发光芯片的结构示意图。

主要元件符号说明

  半导体发光芯片  1、2  基板  10  第一电极  12  离子注入区  13  容置槽  13a  反射层  14  焊垫  15  透明导电层  16  第二电极  17  发光结构层  18  接触层  19  第一半导体层  180  发光层  182  第二半导体层  184  导通孔  184a