[发明专利]半导体发光芯片

权利要求书

1.一种半导体发光芯片，其包括基板及设置在该基板上的发光结构层，所述发光结构层包括依次排布的第一半导体层、发光层及第二半导体层，其特征在于：该发光结构层内还形成有至少一离子注入区，该离子注入区由所述第二半导体层底面贯穿发光层并延伸至第一半导体层内部，各离子注入区内开设有由第二半导体层底面贯穿至第一半导体层内的容置槽，所述半导体发光芯片还包括第一电极，所述第一电极包括设置在基板与发光结构层之间的基底及由基底延伸而出的至少一个连接部，该至少一连接部对应地设置于容置槽内并与第一半导体层电连接。

2.如权利要求1所述的半导体发光芯片，其特征在于：所述基底的形状选自环状、同心环状、条状、分散排布的点状。

3.如权利要求1所述的半导体发光芯片，其特征在于：所述基板为导电的金属基板或半导体基板。

4.如权利要求1所述的半导体发光芯片，其特征在于：所述离子注入区内所注入的离子选自H⁺、He⁺、O⁺、Ar⁺、N⁺、Ne⁺。

5.如权利要求1所述的半导体发光芯片，其特征在于：所述第二半导体层的底面通过一接触层与一透明导电层电连接。

6.如权利要求5所述的半导体发光芯片，其特征在于：所述接触层选自高掺杂的P型氮化物、超晶格P型氮化物、P型掺杂反转层。

7.如权利要求5所述的半导体发光芯片，其特征在于：所述透明导电层与第一电极之间间隔有一绝缘反射层。

8.如权利要求7所述的半导体发光芯片，其特征在于：所述绝缘反射层为分布式布拉格反射镜。

9.如权利要求7所述的半导体发光芯片，其特征在于：所述绝缘反射层的反射主频宽为440nm-470nm。

10.如权利要求7所述的半导体发光芯片，其特征在于：所述绝缘反射层的材料选自二氧化硅、二氧化钛、五氧化二钽、氮化硅、氮化钛、氮化钽。

11.如权利要求1所述的半导体发光芯片，其特征在于：所述发光结构层的一侧被蚀刻去除后露出部分透明导电层，所述半导体发光芯片还包括设置于外露的透明导电层上的第二电极。

12.如权利要求1所述的半导体发光芯片，其特征在于：所述发光结构层的一侧蚀刻至第一半导体内部以露出部分第一半导体，所述第一半导体外露的表面上开设有贯穿至透明导电层的导通孔，所述半导体发光芯片包括设置在第一半导体外露表面上并通过导通孔与透明导电层电连接的第二电极。