[发明专利]设有锡扩散抑制层的半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具备：

半导体基板，具有连接焊盘；

配线，连接于所述连接焊盘；

锡扩散抑制层，含有焊料，设置于所述配线的上方；和

焊料凸块，设置于所述锡扩散抑制层上，

所述锡扩散抑制层的熔点比所述焊料凸块的熔点高。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述配线设置于绝缘膜上，

所述半导体装置具备涂覆膜，该涂覆膜设置于所述配线上及所述绝缘膜上，并在与所述配线的焊接区相对应的部分具有开口部。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述锡扩散抑制层以180℃～280℃进行加热而形成，并且在180℃～280℃不发生再熔融。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述锡扩散抑制层为熔点上升型的焊料。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

所述熔点上升型的焊料包含非共晶成分的锡铜类无铅焊料。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述锡扩散抑制层包含在热硬化性树脂中分散有铜粒子的层。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述焊料凸块包含非熔点上升型的焊料。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，

所述非熔点上升型的焊料包含共晶成分的锡银类无铅焊料。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

在所述配线的焊接区上的所述锡扩散抑制层下设有铜层。

10.一种半导体装置，其特征在于，具备：

半导体基板，具有连接焊盘；

配线，连接于所述连接焊盘；

锡扩散抑制层，设置于所述配线的上方；

氧化抑制层，设置于所述锡扩散抑制层上；和

焊料凸块，搭载于所覆盖的所述氧化抑制层上，

所述氧化抑制层在搭载所述焊料凸块前被覆膜。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，

在所述配线的焊接区的上方的所述锡扩散抑制层下设有铜层。

12.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，

所述配线设置于绝缘膜上，

在所述锡扩散抑制层及所述氧化抑制层的周围的所述绝缘膜上设有密封膜。

13.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，

所述锡扩散抑制层的厚度为5μm～10μm。

14.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，

所述锡扩散抑制层含有镍，所述氧化抑制层含有焊料。

15.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包含如下步骤：

在形成有配线的半导体基板的所述配线的上方，以规定的温度进行加热，形成在所述规定温度下不发生再熔融的锡扩散抑制层；

在所述锡扩散抑制层上形成焊料凸块。

16.根据权利要求15所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述配线形成于绝缘膜上，

在所述配线上及所述绝缘膜上，形成在与所述配线的焊接区相对应的部分具有开口部的涂覆膜。

17.根据权利要求15所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述规定的温度为180℃～280℃。

18.根据权利要求15所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述锡扩散抑制层通过印刷金属膏来形成金属膏层、并对金属膏层进行加热而形成。

19.根据权利要求18所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述金属膏包含熔点上升型的焊料膏。

20.根据权利要求19所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述熔点上升型的焊料膏包含非共晶成分的锡铜类无铅焊料膏。

21.根据权利要求15所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述金属膏包含铜膏。