[发明专利]一种无磁性织构NiV合金基带及其熔炼制备方法无效
申请号: | 201110069925.8 | 申请日: | 2011-03-22 |
公开(公告)号: | CN102154578A | 公开(公告)日: | 2011-08-17 |
发明(设计)人: | 袁冬梅;索红莉;高忙忙;邱火勤;马麟;刘敏;田辉;王营霞;徐燕;王金华 | 申请(专利权)人: | 北京工业大学 |
主分类号: | C22C19/03 | 分类号: | C22C19/03;C22F1/10 |
代理公司: | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人: | 刘萍 |
地址: | 100124 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 磁性 niv 合金 基带 及其 熔炼 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种涂层导体用无磁性织构NiV合金基带及其制备方法,属于高温超导涂层导体金属基带技术领域。
背景技术
涂层超导是目前国际超导界的研究热点和重点。其中第二代高温超导材料YBCO,以其更优良的性能和低廉的成本,成为科研工作者研究的热点。制备高性能的金属基带是获得高性能涂层超导体的关键。由于金属合金基带承担支撑、外延过渡层和超导薄膜,以及承载部分电流的重要作用,所以为了满足高性能超导带材的需求,高织构度、高电导率、较小交流损耗、较大屈服极限等性质的获得是制备高性能的金属基带的关键。目前,NiW合金基带是人们研究比较广泛的基带材料之一。虽然Ni9.3at.%W合金基带在液氮温区为无磁性,但是其立方织构含量并不理想。这是由于随着W含量的不断增大,合金的层错能急剧下降,导致按照传统的RABiTS技术获得NiW基带的立方织构含量明显减少,因而限制了它的实际应用。研究表明,V含量的增加对Ni合金层错能的降低并没有显著的影响,而居里温度确明显下降,鉴于此,人们选择将无磁性、且易获得高立方织构的制备成涂层导体基底。采用熔炼方法制备NiV合金金属基带,易进行大规模工业化生产,实现涂层导体的实用化。
发明内容
本发明的目的是提出一种无磁性,高立方织构的NiV合金基带及其制备方法。
本发明提供一种高温超导涂层导体用NiV合金基带,此合金基带的组分及原子百分含量具体如下:
Ni 88~91at.%,V 9~12at.%
本发明提供一种高温超导涂层导体用NiV合金基带熔炼制备方法,其特征在于,工艺步骤如下:
(1)原料配比与初始坯锭的制备
将Ni块和V块,按V原子百分比含量为9~12%的配比在真空条件下于1600℃熔炼10min成NiV合金固溶体,然后浇铸,热锻后即可获得NiV的合金初始铸锭;将初始铸锭进行热轧后得到初始坯锭;
(2)初始坯锭的形变轧制
对初始坯锭进行直接冷轧,道次变形量为5~15%,总变形量不小于95%,得到厚度为60~120μm的冷轧基带;
(3)冷轧基带的再结晶热处理
步骤(2)得到的冷轧基带在Ar4%H2混合气体保护或真空条件下于550℃退火30min,然后再升温至900~1100℃退火30~90min,得到一种涂层导体用Ni基合金基带。
通过本发明的方法制得的Ni基合金基带具有以下几个特点:
1、由于本发明的合金基带,其钒的原子百分含量保证高于9%,因此,此合金基带在高温涂层超导体应用的液氮温区表现为无磁性;
2、相比于现在常用的NiW合金,由于其材料的层错能随合金元素含量的增加变化不大,因此基带具有更好的立方织构;
附图说明
图1为实施例1中制备的Ni基合金基带退火后的(111)及(002)面极图;
图2为实施例2中制备的Ni基合金基带退火后的(111)及(002)面极图;
图3为实施例3中制备的Ni基合金基带退火后的(111)及(002)面极图;
具体实施方式
下面结合附图及实施例对本发明做进一步的详细说明,但本发明并不限于以下实施例。
实施例1
将纯度均为99.9%的Ni块和V块,按V的原子百分含量为12%的配比在真空条件下于1600℃熔炼10min成NiV合金固溶体,然后浇铸,锻造即可获得NiV合金的初始铸锭;将初始铸锭进行热轧后得到初始坯锭;对初始坯锭进行冷轧,道次变形量为5%,最终得到总变形量98%,厚度为80μm的冷轧基带;冷轧基带在Ar4%H2混合气体保护气氛下于550℃下退火30min,然后再升温至1100℃退火60min,得到最终产品合金基带。该合金基带的(111)及(002)面极图如图1所示,由图1可知,该合金基带具有强立方织构。
实施例2
将纯度均为99.99%的Ni块和V块,按V的原子百分含量为11%的配比在真空条件下于1600℃熔炼10min成NiV合金固溶体,然后浇铸,锻造即可获得NiV合金的初始铸锭;将初始铸锭进行热轧后得到初始坯锭;对初始坯锭进行冷轧,道次变形量为10%,最终得到总变形量95%,厚度为60μm的冷轧基带;冷轧基带在Ar4%H2混合气体保护气氛下于550℃下退火30min,然后再升温至900℃退火90min,得到最终产品合金基带。该合金基带的(111)及(002)面极图如图2所示,由图2可知,该合金基带具有强立方织构。
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