[发明专利]一种无磁性织构NiV合金基带及其熔炼制备方法无效
| 申请号： | 201110069925.8 | 申请日： | 2011-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN102154578A | 公开（公告）日： | 2011-08-17 |
| 发明（设计）人： | 袁冬梅;索红莉;高忙忙;邱火勤;马麟;刘敏;田辉;王营霞;徐燕;王金华 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | C22C19/03 | 分类号： | C22C19/03;C22F1/10 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 刘萍 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 磁性 niv 合金 基带 及其 熔炼 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种无磁性织构NiV合金基带，其特征在于，组分及原子百分含量为：
Ni 88～91at.％，V 9～12at.％。
2.根据权利要求1所述的一种无磁性织构NiV合金基带的熔炼制备方法，其特征在于，其工艺步骤如下：
(1)原料配比与初始坯锭的制备
将Ni块和V块，按V原子百分比含量为9～12％的配比在真空条件下于1600℃熔炼成NiV合金固溶体，然后浇铸，热锻后即可获得NiV的合金初始坯锭；
(2)初始坯锭的形变轧制
对初始坯锭进行直接冷轧，道次变形量为5～15％，总变形量不小于95％，得到厚度为60～120μm的冷轧基带；
(3)冷轧基带的再结晶热处理
步骤(2)得到的冷轧基带在Ar4％H2混合气体保护或真空条件下于550℃退火30min，然后再升温至900～1100℃退火30～90min，得到一种无磁性织构NiV合金基带。
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