[发明专利]多点电阻式触摸屏的制作方法及多点电阻式触摸屏

说明书

技术领域

本发明涉及多点式触摸屏，尤其涉及可以实现多点触控的、触摸灵敏度更高的压电多点电阻式触摸屏的制作方法及制得的多点电阻式触摸屏。

背景技术

目前，触摸屏作为一种输入设备，允许用户直接在加有触摸屏的显示装置表面通过点触或手写的方式输入信息，比鼠标键盘等输入设备更友好，方便，因此越来越广泛地被应用在各种便携式设备上，如手机、PDA等。

现有的触摸屏技术种类繁多，根据所使用接触物类型、确认触点位置方式的不同，触摸屏技术又可以分为电阻式触摸屏、电容式触摸屏、红外线式触摸屏、表面声波式触摸屏等。

随着多点电阻式控制IC技术的成熟、成本的下降以及相对于其他几项技术的一些特有的优势，如防干扰性、防水性很好、不易损坏、可以长期使用等，使得多点式触摸屏的应用越来越广泛。

现有技术中的多点电阻式触摸屏一般采用银浆走线，其结构参见图1，在玻璃基板1的ITO层镀银浆6，这种工艺制成的多点电阻式触摸屏，其银浆走线的最小线宽仅能控制在180μ，参见图2，普通银浆走线空间为6.56mm，这种结构会造成功能不良的问题，而且由于银浆走线本身的缺陷，导致对玻璃基板的要求较高，材料的可选择范围小，造成成本高的问题。

发明内容

本发明目的在于，提供一种多点电阻式触摸屏的制作方法，能够减少空间走线，降低功能不良。基于此，本发明还提供一种多点电阻式触摸屏。

为解决上述技术问题，本发明的一种多点式电阻触摸屏的制作方法，包括如下步骤：

1)在玻璃基板的ITO层上镀钼或者依次镀钼、铝、钼；

2)进行钼走线；

3)钼走线完成后，再进行ITO走线。

优选地，步骤1)中，所述镀钼采用等离子体溅射方式，将靶材原子沉积在玻璃基板上成膜。

优选地，在玻璃基板上镀钼后通过曝光控制钼走线和ITO走线。

优选地，步骤2)中，所述钼走线通过钼涂胶、钼曝光、钼显影、钼蚀刻、钼脱膜来实现。

优选地，所述镀钼包括：先清洗玻璃基板，而后依次进行溅射镀膜、图形蚀刻。

优选地，步骤3)中，所述ITO走线通过涂胶、曝光、显影、酸刻、脱膜来实现。

优选地，所述镀钼线宽控制在5μ～20μ。

优选地，所述镀钼线宽控制在10μ。

本发明的一种多点电阻式触摸屏，由前述任一制作方法制成。

与现有技术中多点电阻式触摸屏采用普通银浆走线的最小线宽仅能控制在180μ相比，本发明由于采用镀钼或镀钼、铝、钼代替现有技术中的普通银浆走线，而钼走线最小的线宽能够控制在5μ，所以本发明采用镀钼设计大大降低了功能不良。

进一步地，通过曝光工艺极大的减少了走线空间。

本发明的多点电阻式触摸屏的制作方法及制得的多点电阻式触摸屏能够弥补市场上的空缺，在功能上，可以完全做到和电容式触摸屏一样的效果，在抗干扰性能上又强于电容式触摸屏，同时在价格上又优于电容式触摸屏，所以价格低、性能好，在目前市场上有很大的优势。

附图说明

图1是现有技术中普通银浆走线工艺得到的多点电阻式触摸屏的结构示意图；

图2是现有技术中普通银浆走线工艺的银浆走线宽度示意图；

图3是本发明多点电阻式触摸屏的制作方法中的镀钼工艺流程图；

图4是本发明的镀钼原理图；

图5本发明多点电阻式触摸屏的制作方法得到的多点电阻式触摸屏示意图；

图6是本发明的钼走线宽度示意图。

图中，有关附图标记如下：

1-玻璃基板；2-ITO层；3-钼；

4-菲林；5-盒内双面粘；6-银浆。

具体实施方式

本发明的构思为采用镀钼或镀钼、铝、钼代替现有技术中的普通银浆走线。为使本发明的发明目的、技术方案、效果更加清楚，以下结合附图，通过具体的实施例对本发明进行详细说明。

实施例一

本实施例中的多点电阻式触摸屏的制作方法，包括如下步骤：

1)镀钼：

在玻璃基板1的ITO层2上镀一层钼3；本步骤的镀钼工艺流程参见图3，镀钼原理参见图4，通过等离子体溅射方式，将靶材原子沉积在基板玻璃上成膜。

2)钼走线：

通过钼涂胶、钼曝光、钼显影、钼蚀刻、钼脱膜来实现钼走线；

3)ITO走线：