[发明专利]多点电阻式触摸屏的制作方法及多点电阻式触摸屏有效
| 申请号： | 201110069568.5 | 申请日： | 2011-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN102103453A | 公开（公告）日： | 2011-06-22 |
| 发明（设计）人： | 楚尚建;吴德生;杨祖彪;李桂清;何基强 | 申请（专利权）人： | 信利半导体有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/045 | 分类号： | G06F3/045 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 曹志霞;李赞坚 |
| 地址： | 516600 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多点 电阻 触摸屏 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种多点电阻式触摸屏的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
1)在玻璃基板的ITO层上镀钼或者依次镀钼、铝、钼；
2)进行钼走线；
3)钼走线完成后，再进行ITO走线。
2.如权利要求1所述的多点电阻式触摸屏的制作方法，其特征在于，步骤1)中，所述镀钼采用等离子体溅射方式，将靶材原子沉积在玻璃基板上成膜。
3.如权利要求1所述的多点电阻式触摸屏的制作方法，其特征在于，在玻璃基板上镀钼后通过曝光控制钼走线和ITO走线。
4.如权利要求1所述的多点电阻式触摸屏的制作方法，其特征在于，步骤2)中，所述钼走线通过钼涂胶、钼曝光、钼显影、钼蚀刻、钼脱膜来实现。
5.如权利要求1所述的多点电阻式触摸屏的制作方法，其特征在于，所述镀钼包括：先清洗玻璃基板，而后依次进行溅射镀膜、图形蚀刻。
6.如权利要求1所述的多点电阻式触摸屏的制作方法，其特征在于，步骤3)中，所述ITO走线通过涂胶、曝光、显影、酸刻、脱膜来实现。
7.如权利要求1所述的多点电阻式触摸屏的制作方法，其特征在于，所述镀钼线宽控制在5μ～20μ。
8.如权利要求1所述的多点电阻式触摸屏的制作方法，其特征在于，所述镀钼线宽控制在10μ。
9.一种多点电阻式触摸屏，其特征在于，由权利要求1～8任一项的制作方法制成。
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