[发明专利]显示设备有效
| 申请号: | 201110069566.6 | 申请日: | 2011-03-17 |
| 公开(公告)号: | CN102222699A | 公开(公告)日: | 2011-10-19 |
| 发明(设计)人: | 金炫荣;尹柱善;金振烨 | 申请(专利权)人: | 三星移动显示器株式会社 |
| 主分类号: | H01L29/786 | 分类号: | H01L29/786;H01L29/51;H01L27/02;H01L21/77;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 罗正云;宋志强 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示 设备 | ||
1.一种显示设备,包括薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括:
有源层;
栅电极;
电连接到所述有源层的源电极;
电连接到所述有源层的漏电极;以及
形成在所述有源层与所述栅电极之间的栅极绝缘材料,其中所述栅极绝缘材料包括第一层、第二层和第三层;
其中所述第二层具有所述第一层的厚度的0.1倍到1.5倍之间的厚度;并且
其中所述第三层具有所述第二层的厚度的2倍到12倍之间的厚度。
2.根据权利要求1所述的显示设备,其中所述第三层与所述第二层之间的刻蚀选择比为1∶20到1∶8,并且所述第二层与所述第一层之间的刻蚀选择比为1∶20到1∶8。
3.根据权利要求1所述的显示设备,其中所述第一层和所述第二层由彼此不同的材料形成,使得所述第二层比所述第一层对刻蚀剂的响应快。
4.根据权利要求1所述的显示设备,其中所述第二层和所述第三层由彼此不同的材料形成,使得所述第三层比所述第二层对刻蚀剂的响应快。
5.根据权利要求2所述的显示设备,其中所述第三层和所述第一层各自包括氮化硅,并且所述第二层包括氧化硅。
6.根据权利要求1所述的显示设备,其中所述源电极和所述漏电极中至少任意之一接触所述第二层。
7.根据权利要求1所述的显示设备,其中所述源电极和所述漏电极中至少任意之一接触所述第一层。
8.根据权利要求1所述的显示设备,其中所述有源层和所述第三层具有相同的刻蚀的侧面。
9.根据权利要求1所述的显示设备,其中所述有源层、所述第三层和所述第二层具有相同的刻蚀的侧面。
10.根据权利要求1所述的显示设备,进一步包括电容器,所述电容器包括:
第一电极;
第二电极;以及
位于所述第一电极与所述第二电极之间的介电材料。
11.根据权利要求10所述的显示设备,其中所述第一电极和所述栅电极由相同的材料并且由相同的工艺形成。
12.根据权利要求10所述的显示设备,其中所述第二电极、所述源电极和所述漏电极由相同的材料并且由相同的工艺形成。
13.根据权利要求10所述的显示设备,其中所述栅极绝缘材料的所述第一层和所述第二层延伸到所述电容器以提供所述介电材料。
14.根据权利要求10所述的显示设备,其中所述介电材料仅包括一层,并且其中所述栅极绝缘材料的所述第一层延伸到所述电容器以提供所述介电材料。
15.根据权利要求10所述的显示设备,其中所述栅极绝缘材料的所述第一层、所述第二层和所述第三层以及所述有源层延伸到所述电容器以提供所述介电材料。
16.根据权利要求10所述的显示设备,其中所述电容器进一步包括:
与所述第一电极连接的第一透明导电层;以及
与所述第二电极连接的第二透明导电层。
17.一种显示设备,包括:
位于基板之上的薄膜晶体管;以及
位于所述基板之上的电容器;
其中所述薄膜晶体管包括:
有源层,
栅电极,
电连接到所述有源层的源电极,
电连接到所述有源层的漏电极,以及
形成在所述有源层与所述栅电极之间的栅极绝缘材料,其中所述栅极绝缘材料包括第一层、第二层和第三层;
其中所述电容器包括:
第一电极,
第二电极,以及
位于所述第一电极与所述第二电极之间的介电材料,其中所述介电材料比所述栅极绝缘材料包括少的层。
18.根据权利要求17所述的显示设备,其中所述介电材料包括所述有源层和所述第三层。
19.根据权利要求17所述的显示设备,其中所述介电材料包括所述有源层、所述第三层和所述第二层。
20.根据权利要求17所述的显示设备,其中所述第二层具有所述第一层的厚度的0.1倍到1.5倍之间的厚度;并且其中所述第三层具有所述第二层的厚度的2倍到12倍之间的厚度。
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