[发明专利]处理室、半导体制造设备及使用其的基板处理方法有效
申请号: | 201110068029.X | 申请日: | 2011-03-18 |
公开(公告)号: | CN102194665A | 公开(公告)日: | 2011-09-21 |
发明(设计)人: | 李龙炫;李明振;车安基 | 申请(专利权)人: | 周星工程股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/68;H01L21/677 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;钟强 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 半导体 制造 设备 使用 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种半导体制造设备,并且特别地,涉及一种处理基板如半导体器件的处理室,以及在室之间转移基板的设备和方法。
背景技术
通常,为了制造半导体器件、平板显示器和太阳能电池,需要将由特定材料形成的薄膜沉积在晶片或玻璃表面上的薄膜沉积工艺、使用光致抗蚀剂材料暴露或遮挡薄膜的所选区域的光刻工艺、和通过从所选区域去除薄膜来根据要求对薄膜进行构图的蚀刻工艺。
而且,为了实施上述工艺,分别在多个处理室进行薄膜沉积工艺、蚀刻工艺等。基板在多个处理室之间的转移是经由传送室来进行的。
上述常规处理室和具有该些处理室的半导体制造设备具有如下问题。
各处理室每一个处理一个基板。因此,在将一个基板转移到一个处理室并在真空气氛下于该处理室中处理该基板之后,必须将该基板转移到另一处理室。由此,降低了产率。
即,只要将一个基板转移到一个处理室,就需要操作该处理室,而且只要一个基板进入或者离开该处理室,就需要打开和关闭该处理室入口并且需要在处理室中重新形成真空气氛。
发明内容
本发明涉及处理室、半导体制造设备及使用其的基板处理方法。
本发明的目的是提供一种处理基板如半导体器件的处理室,和在室之间转移基板的设备和方法。
本发明的其他优点、目标和特征将部分在随后的描述中进行阐述,而部分则将在本领域技术人员研究下文之后变得清楚明白,或者可以通过本发明的实践来了解。可以通过在所撰写的说明书及其权利要求书以及所附附图中具体指明的结构来实现和获得本发明的目的及其他优点。
为了实现这些及其它益处、并根据本发明的目的,正如此处所具体实现和概括描述的,处理室包括室主体、基板支架和至少一个分隔器,该室主体设有形成在其侧表面上的基板入口,基板支架设在室主体内以使至少两个基板设置在该基板支架上,而该至少一个分隔器设在室主体内以对准至少两个基板。
该至少一个分隔器中的每一个都包括支撑该至少两个基板边缘部分的支撑部件和接触该至少两个基板以使该至少两个基板彼此分离的分离部件。
该至少一个分隔器可包括具有直线形状的分隔器,以使彼此面对的一对基板分开并对准,或者包括彼此交叉的两个直线形状的分隔器,以使四个基板分开并对准。
该至少一个分隔器可具有4~60mm的线宽。
该至少一个分隔器可在相同高度上对准该至少两个基板。
该至少一个分隔器可由陶瓷或者阳极氧化涂覆的铝形成。
基板支架可包括支撑该至少两个基板下表面的最外部区域的至少一个装载框和支撑该至少两个基板下表面中心区域的定位针。
本发明的另一方面中,一种半导体制造设备包括:设有基板移动装置以移动基板的传送室,对准基板以及将基板装载到传送室和从传送室卸载基板的真空室,以及处理从传送室转移的基板的至少一个处理室,其中该至少一个处理室中的每一个都包括室主体、基板支架和至少一个分隔器,该室主体设有形成在其侧表面上的基板入口、基板支架设在室主体内从而在基板支架上设置至少两个基板,该至少一个分隔器设在室主体内以使该至少两个基板对准。
半导体制造设备还包括设在真空室中以对准基板的对准部件。
该对准部件可设在其上容纳有基板的支架的至少两个拐角处。
彼此面对的两个基板可设在真空室内,并且对准部件可包括设在两个基板之间的固定部件或转动部件。
可在真空室内提供四个基板,并且对准部件可包括矩形的、彼此交叉且设在四个基板相遇的四个基板中心位置处的一对对准部件。
该一对对准部件可包括分别设在四个基板之间的至少四个转动部件并且四个基板通过转动部件的转动对准。
在真空室内的对准部件和在处理室内的至少一个分隔器可按相同模式对准基板。
在本发明的另一方面中,基板处理方法包括:将至少两个基板顺序装载至设有对准部件的第一室中,使用对准部件对准至少两个基板的拐角,使用基板输送单元将该至少两个基板从第一室输送到第二室,和使用基板输送单元将该至少两个基板从第二室输送到第三室,其中以与第一室中至少两个基板对准模式相同的模式将至少两个基板装载在第三室中。
该至少一个分隔器可在第三室中以相同高度和预定间隔使该至少两个基板分开并对准。
应理解,上文的一般描述和下文对本发明的具体描述都是示意性和说明性的,且旨在提供对所要求保护的发明的进一步说明。
附图说明
包括附图以提供本发明的进一步理解并且它们结合到本申请中并构成本申请的一部分,附图图解了本发明的实施例并与说明书一起用于解释本发明的原理。在图中:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造