[发明专利]一种半导体结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制造方法，该方法包括以下步骤：

a)提供衬底(100)，在所述衬底(100)上形成有源区，在所述有源区上形成栅堆叠或伪栅堆叠，在所述栅堆叠或伪栅堆叠两侧形成源极延伸区(110a)以及漏极延伸区(110b)，在所述栅堆叠或伪栅堆叠侧壁形成侧墙，以及在所述侧墙和所述栅堆叠或伪栅堆叠外的所述有源区上形成源极(111a)和漏极(111b)；

b)仅在所述源极侧的有源区的上表面形成第一接触层(112a)，而在所述漏极侧的有源区的上表面没有形成第一接触层；

c)形成层间介质层(300)，以覆盖所述衬底(100)；

d)刻蚀所述层间介质层(300)以形成接触孔(310)，所述接触孔(310)至少暴露漏极侧的部分有源区；

e)在所述部分有源区上形成第二接触层(112b)，所述第二接触层(112b)与栅堆叠的距离大于所述第一接触层(112a)与栅堆叠的距离，所述第二接触层的厚度大于所述第一接触层的厚度。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述步骤b)之前还包括：

f)对称地去除所述侧墙的至少一部分。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述步骤b)包括：

通过保护层(330)覆盖所述漏极侧的有源区；

沉积第一金属层(250)以覆盖所述源极侧的有源区；

执行退火操作，以使所述第一金属层(250)与所述源极侧的有源区发生反应形成第一接触层(112a)；

去除未反应的所述第一金属层(250)。

4.根据权利要求3所述的方法，其中：

所述第一金属层(250)的材料为Co、Ni和NiPt之一或其组合。

5.根据权利要求4所述的方法，其中：

如果所述第一金属层(250)的材料为Co，则Co的厚度小于5nm；

如果所述第一金属层(250)的材料为Ni，则Ni的厚度小于4nm；以及

如果所述第一金属层(250)的材料为NiPt，则NiPt的厚度小于3nm。

6.根据权利要求4或5所述的方法，其中：

如果所述第一金属层(250)的材料为NiPt，则NiPt中Pt的含量小于5％。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，步骤e)包括：

沉积第二金属层(260)以覆盖所述部分有源区；

执行退火操作，以使所述第二金属层(260)与所述部分有源区发生反应形成第二接触层(112b)；

去除未反应的所述第二金属层(260)。

8.根据权利要求7所述的方法，其中：

所述第二金属层(260)的材料包括Ni、NiPt中的一种或其组合。

9.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述第一接触层(112a)为CoSi₂、NiSi或者Ni(Pt)Si_2-y中的一种或其组合，且所述第一接触层(112a)的厚度小于10nm。

10.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述第二接触层(112b)包括NiSi或者Ni(Pt)Si_2-y中的一种。