[发明专利]半导体存储卡及其制造方法有效

申请号：	201110066778.9	申请日：	2011-03-18
公开（公告）号：	CN102386162A	公开（公告）日：	2012-03-21
发明（设计）人：	西山拓	申请（专利权）人：	株式会社东芝
主分类号：	H01L23/495	分类号：	H01L23/495;H01L23/31;H01L23/00;H01L21/60;H01L21/56
代理公司：	北京市中咨律师事务所 11247	代理人：	陈海红;段承恩
地址：	日本***	国省代码：	日本;JP
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摘要：
搜索关键词：	半导体存储及其制造方法
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【说明书】：

本发明享受以日本专利申请2010-194090号(申请日：2010年8月31日)为基础申请的优先权。本发明参照该基础申请，因此包含基础申请的所有的内容。

技术领域

本发明涉及半导体存储卡及其制造方法。

背景技术

以往，在引线框上安装闪存等半导体存储器、通过封装树脂封装的半导体存储卡众所周知。在该构造的半导体存储卡中，数据的读取写入用的外部端子通过使引线框的一部分(端子部)从封装树脂局部露出而形成。

在制造上述构造的半导体存储卡时，引线框的端子部在树脂封装前被连结并支撑于引线框的框架部。而且，在树脂封装后，以形成作为半导体存储卡的外形的方式将引线框的端子部与框架部切断。因此，在半导体存储卡完成的状态下，具有引线框的一部分没有被树脂覆盖而从引线框的端子部露出的可能性。其结果，具有存储于半导体存储器的数据被破坏的可能性。

在将半导体存储器安装于引线框、通过封装树脂封装而成的半导体存储卡中，要求防止存储于半导体存储器的数据被破坏。

发明内容

本发明的一个技术方案，其目的在于提供一种防止安装于引线框的半导体存储器中所存储的数据被破坏的半导体存储卡及其制造方法。

根据本发明的一个技术方案，半导体存储卡，其具备：引线框，其形成有存储器搭载部、包含电源端子以及信号端子的多个端子和宽度比该端子窄并从各端子延伸到卡前端面的多个连接部；半导体存储器，其搭载于引线框的存储器搭载部；和树脂，其以使得电源端子与信号端子相比在更接近卡前端面的部位露出，并且在卡前端面使多个连接部露出的方式，封装搭载有半导体存储器的引线框。半导体存储卡，以使得多个连接部的卡前端面处的露出位置在卡前端面的长度方向上从使各个信号端子向卡前端面侧延伸的区域错开的方式，使各连接部从各端子延伸。

根据本发明的实施方式，能够提供一种防止安装于引线框的半导体存储器中所存储的数据被破坏的半导体存储卡及其制造方法。

附图说明

图1-1是作为第1实施方式所涉及的半导体存储卡的microSD存储卡的仰视图。

图1-2是第1实施方式所涉及的microSD存储卡的俯视透视图。

图1-3是第1实施方式所涉及的microSD存储卡的侧视透视图。

图2是表示第1实施方式所涉及的microSD存储卡的制造中所使用的引线框的结构的图。

图3是表示第1实施方式所涉及的microSD存储卡的制造中所使用的引线框的树脂封装后的状态的图。

图4是表示事后使埋设于封装树脂中的引线框露出的顺序的工序图。

图5是模式性表示相对于microSD存储卡读取写入数据的连接器的内部的图。

图6是模式性表示microSD存储卡与连接器针脚的位置关系的图。

图7是第2实施方式所涉及的microSD存储卡的仰视图。

图8是表示第2实施方式所涉及的microSD存储卡的制造中所使用的引线框的结构的图。