[发明专利]提高非挥发性电阻存储器可靠性的方法及结构

权利要求书

1.一种提高非挥发性电阻存储器可靠性的方法，其特征在于，将若干个相同的电阻随机存储器单元组成并联的冗余结构，并在所述并联的冗余结构的公共电极两端施加有电流激励，以采用电流扫描的方式对所述并联的冗余结构进行编程和/或擦除操作。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电阻随机存储器单元包括：

下电极；

在所述下电极上形成的氧化物层，以用于电阻存储；以及

形成于所述氧化物层上的上电极。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述上电极和/或下电极由选自铂、镍、铜、金、钨、铬、钌、铱、钴或其合金中的一种材料形成。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述氧化物层是包括锆的氧化物、铪的氧化物、钛的氧化物、铝的氧化物、铜的氧化物、镍的氧化物、锌的氧化物或锰的氧化物的二元氧化物，或者包括Pr_1-xCa_xMnO₃或SrZrO₃的多元氧化物。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电流激励用于使得所述电阻随机存储器单元发生阻态的变化，包括从高阻值向低阻值的变化和从低阻值向高阻值的变化。

6.一种提高非挥发性电阻存储器可靠性的结构，其特征在于，所述结构包括若干个相同的电阻随机存储器单元，其中所述电阻随机存储器单元之间相并联以组成并联的冗余结构；所述并联的冗余结构的公共电极两端施加有电流激励，以采用电流扫描的方式对所述并联的冗余结构进行编程和/或擦除操作。

7.根据权利要求6所述的结构，其特征在于，所述电阻随机存储器单元包括：

下电极；

在所述下电极上形成的氧化物层，以用于电阻存储；以及

形成于所述氧化物层上的上电极。

8.根据权利要求7所述的结构，其特征在于，所述上电极和/或下电极由选自铂、镍、铜、金、钨、铬、钌、铱、钴或其合金中的一种材料形成。

9.根据权利要求7所述的结构，其特征在于，所述氧化物层是包括锆的氧化物、铪的氧化物、钛的氧化物、铝的氧化物、铜的氧化物、镍的氧化物、锌的氧化物或锰的氧化物的二元氧化物，或者包括Pr_1-xCa_xMnO₃或SrZrO₃的多元氧化物。

10.根据权利要求6所述的结构，其特征在于，所述电流激励用于使得所述电阻随机存储器单元发生阻态的变化，包括从高阻值向低阻值的变化和从低阻值向高阻值的变化。