[发明专利]氧化物薄膜晶体管基板

说明书

技术领域

本发明的示范性实施例涉及薄膜晶体管(TFT)基板及其制造方法，更具体地，涉及使用氧化物半导体的TFT以及制造该TFT的方法。

背景技术

薄膜晶体管(TFT)在诸如液晶显示器(LCD)和有机发光二极管(OLED)显示器的平面显示装置中用作开关元件。在常规的LCD中，TFT的沟道层主要是非晶硅层。在该情形下，TFT具有大约0.5cm²/Vs的迁移率。然而，随着显示器变得更大，需要高分辨率和高频驱动性能。因此，需要具有高迁移率的高性能TFT并且正在进行对具有比非晶硅层高的迁移率的氧化物半导体层的研究。例如，Ga-In-Zn-O层的迁移率是非晶硅层的迁移率的几十倍，因而表现出优良的半导体特性。

此外，TFT的导通电流(ON current)与沟道层的迁移率和沟道层的宽度成比例，并间接地与沟道层的长度成比例。因此，当具有高迁移率的氧化物半导体用于TFT时，取决于沟道区的物理属性和半导体成分，TFT的ON电流可以增大。

发明内容

本发明的示范性实施例提供一种通过改善TFT的设计而具有增大的ON电流的薄膜晶体管(TFT)基板。

本发明的示范性实施例还提供一种具有提高的显示品质的显示器件，其可以通过减小在每个像素中存在的寄生电容来实现。

本发明的示范性实施例还提供一种减少进行形成TFT的层的对准所需要耗费的精力的方法，从而使整个TFT基板制造工艺更容易。

本发明的额外特征将在以下的文字描述中阐述，并将部分地从该文字描述而显然或者可以实践本发明而习知。

本发明的示范性实施例公开了一种氧化物薄膜晶体管(TFT)基板，该氧化物薄膜晶体管基板包括：基板；栅极线，设置在基板上；数据线，设置在基板上并与栅极线绝缘且交叉栅极线；氧化物TFT，电连接到栅极线和数据线；以及像素电极，设置在氧化物TFT上。氧化物TFT的氧化物层包括：第一区域，具有半导体特性并包括沟道；以及第二区域，其是导电的并且围绕第一区域。第一区域电连接到像素电极，第二区域电连接到数据线。

本发明的示范性实施例还公开了一种氧化物薄膜晶体管(TFT)基板，该氧化物薄膜晶体管基板包括：基板；栅极线，设置在基板上；数据线，设置在基板上并与栅极线绝缘且交叉栅极线；氧化物TFT，电连接到栅极线和数据线；以及像素电极，设置在氧化物TFT上。氧化物TFT包括：栅极电极，连接到栅极线；栅极绝缘膜，覆盖栅极线和栅极电极；氧化物层，设置在栅极绝缘膜上并重叠栅极电极；第一钝化膜，设置在氧化物层上且与氧化物层部分地重叠；以及源极电极，连接到数据线且与氧化物层部分地重叠。氧化物层包括：第一区域，具有半导体特性并包括沟道；以及第二区域，其是导电的并且围绕第一区域。第一区域电连接到像素电极，第二区域电连接到数据线。

本发明的示范性实施例还公开了一种制造氧化物TFT基板的方法。该方法包括：在基板上沉积氧化物层；使氧化物层的第二区域导电；以及设置像素电极以接触氧化物层的第一区域。第二区域围绕第一区域。

将理解，以上的一般性描述和以下的详细描述都是示范性和解释性的，旨在提供对如权利要求所要求的本发明的进一步说明。

附图说明

附图被包括以提供对本发明的进一步理解并结合在本说明书中且构成本说明书的一部分，附图示出了本发明的实施例，并与文字描述一起用于解释本发明的原理。

图1是根据本发明示范性实施例的薄膜晶体管(TFT)基板的平面图。

图2是在图1中示出的TFT基板的一个像素的平面图。

图3是沿图2的线III-III’截取的截面图。

图4和图5是在图1中示出的TFT基板的TFT的示范性改进形状的平面图。

图6是根据本发明另一示范性实施例的TFT基板的一个像素的平面图。

图7是沿图6的线VII-VII’截取的截面图。

图8A、图8B、图8C、图8D和图8E是通过根据本发明示范性实施例的制造TFT基板的方法形成的基板和层的截面图。

图9A、图9B、图9C、图9D、图9E和图9F是通过根据本发明另一示范性实施例的制造TFT基板的方法形成的基板和层的截面图。

具体实施方式