[发明专利]氧化物薄膜晶体管基板

权利要求书

1.一种氧化物薄膜晶体管基板，包括：

基板；

栅极线，设置在所述基板上；

数据线，设置在所述基板上并与所述栅极线绝缘且交叉；

氧化物薄膜晶体管，电连接到所述栅极线和所述数据线；以及

像素电极，电连接到所述氧化物薄膜晶体管，

其中所述氧化物薄膜晶体管的氧化物层包括：

第一区域，具有半导体特性并包括沟道；和

第二区域，其是导电的并围绕所述第一区域，

其中所述第一区域电连接到所述像素电极，所述第二区域电连接到所述数据线。

2.根据权利要求1所述的氧化物薄膜晶体管基板，还包括：

第一钝化膜，设置在所述氧化物层上并包括暴露所述第一区域的第一孔；以及

第二钝化膜，设置在所述第一钝化膜上并包括暴露所述第一孔和所述第一区域的第二孔，

其中所述像素电极设置在所述第二钝化膜上并通过所述第一孔和所述第二孔接触所述第一区域。

3.根据权利要求2所述的氧化物薄膜晶体管基板，其中所述第一钝化膜和所述第二钝化膜包含彼此不同的材料。

4.根据权利要求3所述的氧化物薄膜晶体管基板，其中所述第一钝化膜包括硅氧化物(SiOx)，所述第二钝化膜包括硅氮化物(SiNx)。

5.根据权利要求2所述的氧化物薄膜晶体管基板，其中所述第一钝化膜和所述第二钝化膜包含相同的材料。

6.根据权利要求5所述的氧化物薄膜晶体管基板，其中所述第一钝化膜和所述第二钝化膜包含硅氧化物(SiOx)。

7.根据权利要求2所述的氧化物薄膜晶体管基板，其中所述第一孔的数目大于一，所述第二孔的数目大于一。

8.根据权利要求2所述的氧化物薄膜晶体管基板，其中所述氧化物层包括含有铟、锌、镓和铪至少之一或者其任意组合的非晶氧化物。

9.根据权利要求8所述的氧化物薄膜晶体管基板，其中所述非晶氧化物包括铟、锌和镓。

10.根据权利要求8所述的氧化物薄膜晶体管基板，其中所述非晶氧化物包括铟、锌和铪。