[发明专利]半导体封装结构的制法有效

专利信息
申请号: 201110062437.4 申请日: 2011-03-11
公开(公告)号: CN102651323A 公开(公告)日: 2012-08-29
发明(设计)人: 蔡宪聪 申请(专利权)人: 联测科技股份有限公司
主分类号: H01L21/50 分类号: H01L21/50;H01L21/56
代理公司: 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 代理人: 程伟;龚颐雯
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 半导体 封装 结构 制法
【权利要求书】:

1.一种半导体封装结构的制法,其特征在于,包括:

提供一具有相对的主动面及非主动面的芯片及一表面上设有底胶层的基材,其中,该主动面上具有多个导电凸块;

将该芯片的主动面结合于该底胶层上,以令各该导电凸块嵌埋入该底胶层中;

移除该基材,以外露该底胶层;以及

将该芯片通过该底胶层结合于封装基板上,使该芯片通过该多个导电凸块电性连接该封装基板。

2.根据权利要求1所述的半导体封装结构的制法,其特征在于,移除该基材的方式是通过剥离的方式。

3.根据权利要求2所述的半导体封装结构的制法,其特征在于,该基材与该底胶层之间的结合力小于该芯片主动面与该底胶层之间的结合力。

4.根据权利要求1所述的半导体封装结构的制法,其特征在于,该基材与该底胶层之间具有离形层,以通过剥离该离形层而移除该基材。

5.根据权利要求1所述的半导体封装结构的制法,其特征在于,还包括于移除该基材之前,研磨该芯片的非主动面。

6.根据权利要求1所述的半导体封装结构的制法,其特征在于,该芯片通过该底胶层结合于封装基板上的步骤中,是通过热融该底胶层,使该多个导电凸块电性连接该封装基板,再固化该底胶层。

7.根据权利要求1所述的半导体封装结构的制法,其特征在于,还包括形成封装胶体于该封装基板上,以包覆该芯片。

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