[发明专利]可钢化的低辐射镀膜玻璃及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及玻璃领域，特别涉及一种可钢化的低辐射镀膜玻璃及其制备方法。

背景技术

中国专利CN2721633公开了一种特殊膜系的低辐射镀膜玻璃，包括有玻璃基片，在玻璃基片上复合有五个膜层，第一膜层即底层为金属氧化物膜层；第二膜层为金属或合金阻挡层；第三膜层为金属银；第四膜层为金属或合金阻挡层；第五膜层即表面层为金属氧化物膜层。该结构可确保银层不受氧气影响，避免银层被氧化，使得低辐射镀膜玻璃的功能膜层之一即银层能很好地起到作用，从而获得稳定的低辐射功能。该低辐射镀膜玻璃具有一定的抗氧化性能，膜层耐磨性能好，耐碱性能好，但是还存在耐酸性能略差的缺陷。

中国专利CN201296729公开了一种特殊膜系的低辐射镀膜玻璃，包括有玻璃基片，在玻璃基片上复合有六个膜层，第一膜层即底层为氮化硅；第二膜层为氧化钛；第三膜层为氧化锌；第四膜层为银；第五膜层为镍铬；第六膜层即表面层为氮化硅。该低辐射镀膜玻璃存在抗氧化性能略差、膜层耐磨性能差、耐碱性能差和耐酸性能差等缺陷。采用该镀膜玻璃制备而得的钢化玻璃，其性能尚不能符合人们的要求。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种热稳定性好、抗氧化性能好、膜层牢固度好、耐磨与耐碱性能好的可钢化的低辐射镀膜玻璃及其制备方法。

为了解决上述技术问题，本发明提供一种可钢化的低辐射镀膜玻璃，其特征是：在玻璃基片的表面从下至上依次设置电介质层I、电介质层II、金属阻挡层I、银层、金属阻挡层II、电介质层III和电介质层IV；电介质层I与玻璃基片的表面相连，电介质层I和电介质层IV为氧化硅(SiO₂)层，电介质层II和电介质层III为氧化锌的锡酸盐(SnZnO₃)层，金属阻挡层I和金属阻挡层II为镍铬合金(NiCr)层。

作为本发明的可钢化的低辐射镀膜玻璃的改进：玻璃基片的厚度为4～12mm。

作为本发明的可钢化的低辐射镀膜玻璃的进一步改进：电介质层I、电介质层II、金属阻挡层I、银层、金属阻挡层II、电介质层III和电介质层IV厚度依次为：68～72nm、66～70nm、0.9～1.1nm、8～10nm、0.8～1.0nm、56～60nm和53～57nm。

本发明还同时提供了上述可钢化的低辐射镀膜玻璃的制备方法，依次进行以下步骤：

1)、配制镀层材料：

电介质层I和电介质层IV采用Si作为靶材；

电介质层II和电介质层III采用锡和锌混合的浇铸圆柱型靶作为靶材，Zn∶Sn的重量比为＝50∶50；

金属阻挡层I和金属阻挡层II采用镍铬合金作为靶材，镍∶铬的重量比为80∶20；

银层采用银作为靶材；

2)、在平面磁控镀膜机中，使本体真空压力低于1.0×10^-5Torr，镀膜室I～镀膜室VII内的溅射压力为1.7×10^-3Torr～3.0×10^-3Torr；将玻璃基片依次进行以下操作：

①、将玻璃基片送入镀膜室I内，在镀膜室I内设置Si作为靶材；采用旋转靶的方式，控制方式采用中频电源溅射；将O₂∶Ar＝1∶2的流量比通入镀膜室I内；从而在玻璃基片上形成膜层厚度为68～72nm的SiO₂层作为电介质层I；

②、将步骤①的所得物送入镀膜室II内，在镀膜室II内设置锡和锌混合的浇铸圆柱型靶，采用旋转靶的方式，控制方式采用中频电源溅射；将O₂∶Ar＝2∶1的流量比通入镀膜室II内；从而在电介质层I上形成膜层厚度为66～70nm的SnZnO₃层作为电介质层II；

③、将步骤②的所得物送入镀膜室III内，在镀膜室III内设置镍铬合金作为靶材，控制方式采用直流电源溅射；将Ar通入镀膜室III内；从而在电介质层II上形成膜层厚度为0.9～1.1nm的镍铬合金层作为金属阻挡层I；

④、将步骤③的所得物送入镀膜室IV内，在镀膜室IV内设置银作为靶材，控制方式采用直流电源溅射；将Ar通入镀膜室IV内；从而在金属阻挡层I上形成膜层厚度为8～10nm的银层；

⑤、将步骤④的所得物送入镀膜室V内，在镀膜室V内设置镍铬合金作为靶材，控制方式采用直流电源溅射；将Ar通入镀膜室V内；从而在银层上形成膜层厚度为0.8～1.0nm的镍铬合金层作为金属阻挡层II；