[发明专利]可钢化的低辐射镀膜玻璃及其制备方法

权利要求书

1.可钢化的低辐射镀膜玻璃，其特征是：在玻璃基片(1)的表面从下至上依次设置电介质层I(2)、电介质层II(3)、金属阻挡层I(4)、银层(5)、金属阻挡层II(6)、电介质层III(7)和电介质层IV(8)；所述电介质层I(2)与玻璃基片(1)的表面相连，电介质层I(2)和电介质层IV(8)为氧化硅层，电介质层II(3)和电介质层III(7)为氧化锌的锡酸盐层，金属阻挡层I(4)和金属阻挡层II(6)为镍铬合金层。

2.根据权利要求1所述的可钢化的低辐射镀膜玻璃，其特征是：所述玻璃基片(1)的厚度为4～12mm。

3.根据权利要求1或2所述的可钢化的低辐射镀膜玻璃，其特征是：所述电介质层I(2)、电介质层II(3)、金属阻挡层I(4)、银层(5)、金属阻挡层II(6)、电介质层III(7)和电介质层IV(8)厚度依次为：68～72nm、66～70nm、0.9～1.1nm、8～10nm、0.8～1.0nm、56～60nm和53～57nm。

4.如权利要求1～3中任意一种可钢化的低辐射镀膜玻璃的制备方法，其特征是依次进行以下步骤：

1)、配制镀层材料：

电介质层I(2)和电介质层IV(8)采用Si作为靶材；

电介质层II(3)和电介质层III(7)采用锡和锌混合的浇铸圆柱型靶作为靶材，所述Zn∶Sn的重量比为＝50∶50；

金属阻挡层I(4)和金属阻挡层II(6)采用镍铬合金作为靶材，所述镍∶铬的重量比为80∶20；

银层(5)采用银作为靶材；

2)、在平面磁控镀膜机中，使本体真空压力低于1.0×10^-5Torr，镀膜室I～镀膜室VII内的溅射压力为1.7×10^-3Torr～3.0×10^-3Torr；将玻璃基片(1)依次进行以下操作：

①、将玻璃基片(1)送入镀膜室I内，在镀膜室I内设置Si作为靶材；采用旋转靶的方式，控制方式采用中频电源溅射；将O₂∶Ar＝1∶2的流量比通入镀膜室I内；从而在玻璃基片(1)上形成膜层厚度为68～72nm的SiO₂层作为电介质层I(2)；

②、将步骤①的所得物送入镀膜室II内，在镀膜室II内设置锡和锌混合的浇铸圆柱型靶，采用旋转靶的方式，控制方式采用中频电源溅射；将O₂∶Ar＝2∶1的流量比通入镀膜室II内；从而在电介质层I(2)上形成膜层厚度为66～70nm的SnZnO₃层作为电介质层II(3)；

③、将步骤②的所得物送入镀膜室III内，在镀膜室III内设置镍铬合金作为靶材，控制方式采用直流电源溅射；将Ar通入镀膜室III内；从而在电介质层II(3)上形成膜层厚度为0.9～1.1nm的镍铬合金层作为金属阻挡层I(4)；

④、将步骤③的所得物送入镀膜室IV内，在镀膜室IV内设置银作为靶材，控制方式采用直流电源溅射；将Ar通入镀膜室IV内；从而在金属阻挡层I(4)上形成膜层厚度为8～10nm的银层(5)；

⑤、将步骤④的所得物送入镀膜室V内，在镀膜室V内设置镍铬合金作为靶材，控制方式采用直流电源溅射；将Ar通入镀膜室V内；从而在银层(5)上形成膜层厚度为0.8～1.0nm的镍铬合金层作为金属阻挡层II(6)；

⑥、将步骤⑤的所得物送入镀膜室VI内，在镀膜室VI内设置锡和锌混合的浇铸圆柱型靶，采用旋转靶的方式，控制方式采用中频电源溅射；使O₂∶Ar＝2∶1的流量比通入镀膜室VI内；从而在金属阻挡层II(6)上形成膜层厚度为56～60nm的SnZnO₃层作为电介质层III(7)；

⑦、将步骤⑥的所得物送入镀膜室VII内，在镀膜室VII内设置Si作为靶材，采用旋转靶的方式，控制方式采用中频电源溅射；将O₂∶Ar＝6∶1的流量比通入镀膜室VII内；从而在电介质层III(7)上形成膜层厚度为53～57nm的SiO₂层作为电介质层IV(8)。