[发明专利]发光器件

说明书

本申请要求在2010年3月8日提交的韩国专利申请No.10-2010-0020416和在2010年3月10日提交的韩国专利申请No.10-2010-0021089的优先权，它们的全部内容通过引用结合于此。

技术领域

实施例涉及一种发光器件。

背景技术

发光器件(LED)包括具有将电能转换为光能的特性的p-n结二极管。通过元素周期表的III和V族元素能够形成p-n结二极管。通过调节化合物半导体的组成比，LED能够表现出各种颜色。

当正向电压被施加给LED时，n层的电子与p层的空穴组合，使得可以产生与导带和价带之间的能隙相对应的能量。

用于LED的氮化物半导体表现出优秀的热稳定性和宽带隙能，使得氮化物半导体已经在光学器件和高功率电子器件的领域中受到高度关注。具体地，已经开发并且广泛地使用采用氮化物半导体的蓝、绿、以及UV发光器件。

发明内容

实施例提供了一种具有新颖结构的发光器件。

实施例提供了一种能够提高散热特性的发光器件。

实施例提供了一种能够容易封装的发光器件。

实施例提供了一种能够减少光损失的发光器件。

实施例提供了一种能够防止由静电放电引起的损坏的发光器件。

实施例提供了一种能够提高发光效率的发光器件。

实施例提供了一种能够获得均匀的发光效率的发光器件。

实施例提供了一种能够提高光提取效率的发光器件。

根据实施例的一种发光器件可以包括：发光结构，所述发光结构包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；第一腔体，其通过所述第一半导体层和所述有源层，以暴露所述第二半导体层；第一电极，其从在所述第一腔体中的所述第二半导体层延伸到所述第一腔体的外部；第二电极，其被设置在所述第一半导体层的底表面的外周区域上，并且在围绕所述第一电极的侧面的同时与所述第一电极隔开；以及，在所述第一电极和所述发光结构之间的第一绝缘层。

根据实施例的一种发光器件可以包括：发光结构，所述发光结构包括第一半导体层、有源层、第二半导体层和腔体，所述腔体通过所述第一半导体层和所述有源层以暴露所述第二半导体层；第一电极，其从在所述腔体中的所述第二半导体层延伸到所述腔体的外部；第二电极，其被设置在所述第一半导体层的底表面的外周区域上，并且在围绕所述第一电极的侧面的同时与所述第一电极隔开；绝缘层，其在所述第一电极和所述发光结构之间；以及，导电构件，其从所述第二半导体层的顶表面延伸通过所述第二半导体层以接触所述第一电极。

根据实施例的一种发光器件可以包括：发光结构，所述发光结构包括第一半导体层、有源层、第二半导体层和通过所述第一半导体层、所述有源层和所述第二半导体层的贯通孔；第一电极，其从所述贯通孔的内部延伸到所述贯通孔的外部；第二电极，其被设置在所述第一半导体层的底表面的外周区域上，并且在围绕所述第一电极的侧面的同时与所述第一电极隔开；导电构件，其从所述第一电极延伸到所述第二半导体层上；以及，绝缘构件，其接触在所述贯通孔中的所述第一电极。

附图说明

图1是示出根据第一实施例的发光器件的截面图；

图2是沿着图1的线A-A’截取的截面图；

图3是在图1中所示的发光器件的底视图；

图4是根据实施例的发光器件的等效电路图；

图5是示出根据实施例的发光器件的在静电放电时的波形的示意图；

图6A至6H是示出用于制造根据实施例的发光器件的方法的截面图；

图7A和7B是示出根据第二实施例的发光器件的视图；

图8是示出根据第三实施例的发光器件的截面图；

图9是示出根据第四实施例的发光器件的截面图；

图10是示出根据第五实施例的发光器件的截面图；

图11A至11J是示出根据第五实施例的发光器件的制造过程的截面图；

图12是示出根据第六实施例的发光器件的侧截面图；

图13是示出根据第七实施例的发光器件的侧截面图；

图14是示出根据第八实施例的发光器件的侧截面图；

图15是示出根据第九实施例的发光器件的侧截面图；

图16是示出根据第十实施例的发光器件的侧截面图；

图17是示出根据第十一实施例的发光器件的侧截面图；

图18是示出包括根据实施例的发光器件的发光器件封装的截面图；

图19是示出根据实施例的显示器件的分解透视图；

图20是示出根据实施例的显示器件的截面图；以及