[发明专利]发光器件

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

发光结构，所述发光结构包括第一半导体层、有源层和第二半导体层；

第一腔体，所述第一腔体通过所述第一半导体层和所述有源层，以暴露所述第二半导体层；

第一电极，所述第一电极从在所述第一腔体中的所述第二半导体层延伸到所述第一腔体的外部；

第二电极，所述第二电极被设置在所述第一半导体层的底表面的外周区域上，并且在围绕所述第一电极的侧面的同时与所述第一电极隔开；以及

第一绝缘层，所述第一绝缘层在所述第一电极和所述发光结构之间。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，

所述第一半导体层是p型半导体层，以及所述第二半导体层是n型半导体层。

3.根据权利要求1所述的发光器件，其中，

所述第一电极的底表面具有与所述第二电极的底表面的高度相同的高度。

4.根据权利要求1所述的发光器件，其中，

提供多个第一腔体，以及在所述多个第一腔体中分别设置多个第一电极。

5.根据权利要求1所述的发光器件，其中，

所述第一腔体具有相对于所述第二半导体层的底表面倾斜的倾斜表面。

6.根据权利要求1所述的发光器件，其中，

所述第一绝缘层被设置在所述第一腔体的内壁上，以将所述第一电极与所述第一半导体层和所述有源层绝缘。

7.根据权利要求1所述的发光器件，进一步包括：

第一反射层，所述第一反射层在所述第一电极和所述第二半导体层之间；

第二反射层，所述第二反射层在所述第一半导体层和所述第二电极之间，所述第二反射层的一部分在所述第一电极和所述第一绝缘层之间延伸；以及

第二绝缘层，所述第二绝缘层在所述第一电极和所述第二反射层之间。

8.根据权利要求7所述的发光器件，其中，

所述第二绝缘层被设置在所述第一和第二电极之间的所述第二反射层的底表面上。

9.根据权利要求7所述的发光器件，其中，

所述第二绝缘层连接到在所述第一腔体中的所述第一绝缘层，并且在所述第二绝缘层与所述第一绝缘层之间设置第二反射层。

10.根据权利要求1所述的发光器件，进一步包括：

凹凸形状，所述凹凸形状在所述第二半导体层的顶表面上。

11.根据权利要求1所述的发光器件，进一步包括：

第二腔体，所述第二腔体被设置成与所述第一腔体相对，并且通过所述第二半导体层以暴露所述第一电极；

第一导电层，所述第一导电层在所述第二半导体层的底表面上；以及

第二导电层，所述第二导电层从所述第一导电层延伸到所述第二腔体内以接触所述第一电极。

12.根据权利要求11所述的发光器件，其中，

所述第一和第二导电层包括具有透光和导电特性的材料。

13.根据权利要求11所述的发光器件，其中，

所述第一导电层具有距离所述第二半导体层的顶表面大约100nm至500nm的厚度。

14.根据权利要求11所述的发光器件，其中，

所述第二导电层的侧面相对于所述第一导电层的顶表面以大约30°至大约80°的倾斜角来倾斜。

15.根据权利要求11所述的发光器件，其中，

所述第二半导体层包括第一凹凸形状，以及所述第一导电层包括第二凹凸形状。

16.根据权利要求1所述的发光器件，其中，

所述第一绝缘层包括电介质材料以形成电容。