[发明专利]ESD器件的制作方法有效
| 申请号： | 201110057674.1 | 申请日： | 2011-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN102169832A | 公开（公告）日： | 2011-08-31 |
| 发明（设计）人： | 吴亚贞;克里丝;楼颖颖 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L21/31 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | esd 器件 制作方法 | ||
1.一种ESD器件的制作方法，其特征在于，包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底内形成有沟槽；
进行沉积工艺，在所述沟槽内形成衬垫层，所述衬垫层至少覆盖所述沟槽的侧壁和底部；
在所述沟槽内填充多晶硅层；
利用所述多晶硅层制作PN结二极管。
2.如权利要求1所述的ESD器件的制作方法，其特征在于，所述沉积工艺为低压化学气相沉积工艺、等离子体增强化学气相沉积工艺。
3.如权利要求1所述的ESD器件的制作方法，其特征在于，所述沉积工艺的温度范围为300～500摄氏度，时间范围为30～60秒。
4.如权利要求1所述的ESD器件的制作方法，其特征在于，所述衬垫层的厚度范围为1000～2200埃。
5.如权利要求1所述的ESD器件的制作方法，其特征在于，所述衬垫层的材质为氧化硅或氮氧化硅。
6.如权利要求1所述的ESD器件的制作方法，其特征在于，所述沟槽的制作方法包括：
在所述半导体衬底上形成硬掩膜层，所述硬掩膜层内形成有开口，所述开口露出下方的半导体衬底；
沿所述开口刻蚀所述半导体衬底，形成所述沟槽。
7.如权利要6所述的ESD器件的制作方法，其特征在于，所述硬掩膜层包括：
位于所述半导体衬底上的缓冲层和位于所述缓冲层上的氮化硅层。
8.如权利要求7所述的ESD器件的制作方法，其特征在于，所述缓冲层的材质为氧化硅或氮氧化硅。
9.如权利要求8所述的ESD器件的制作方法，其特征在于，所述缓冲层的厚度范围为30～300埃。
10.如权利要求8所述的ESD器件的制作方法，其特征在于，所述硬掩膜层的去除方法为湿法刻蚀工艺，所述缓冲层利用含有氢氟酸的溶液去除，所述氮化硅层利用含有热磷酸的溶液去除。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
