[发明专利]开关装置与应用该开关装置的移位缓存器电路有效
| 申请号: | 201110055092.X | 申请日: | 2011-02-28 |
| 公开(公告)号: | CN102184697A | 公开(公告)日: | 2011-09-14 |
| 发明(设计)人: | 徐国华;陈勇志;张竣桓 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号: | G09G3/20 | 分类号: | G09G3/20 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 郭蔚 |
| 地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 开关 装置 应用 移位 缓存 电路 | ||
【技术领域】
本发明系有关于一种开关装置与应用该开关装置的移位缓存器电路,尤指一种开关装置与应用该开关装置的具低功率消耗与高驱动能力的移位缓存器电路。
【背景技术】
液晶显示装置(Liquid Crystal Display;LCD)是目前广泛使用之一种平面显示器,其具有外型轻薄、省电以及低辐射等优点。液晶显示装置的工作原理系利用改变液晶层两端的电压差来改变液晶层内的液晶分子的排列状态,用以改变液晶层的透光性,再配合背光模块所提供的光源以显示影像。一般而言,液晶显示装置包含多个画素单元、源极驱动器以及移位缓存器电路。源极驱动器用来提供多个数据信号至多个画素单元。移位缓存器电路包含多级移位缓存器以产生多个栅极信号馈入多个画素单元,据以控制多个数据信号的写入运作。因此,移位缓存器电路即为控制数据信号写入操作的关键性组件。
传统液晶显示装置内设置有大量基于薄膜晶体管的开关装置,故薄膜晶体管的逆向漏电流即为液晶显示装置运作的高功率消耗主因之一,从而导致高面板操作温度,如此不但会降低显示质量,也会缩短面板使用寿命。尤其若为降低液晶显示装置的制造成本而将移位缓存器电路整合于包含画素数组的显示面板上,亦即基于GOA(Gate-driver On Array)架构将移位缓存器电路的多级移位缓存器配合多个栅极线而依序设置于显示面板的相当狭长的边框区域,则低信号传输能力更会显著降低面板显示质量。
【发明内容】
依据本发明的实施例,其揭露一种移位缓存器电路,用以提供多个栅极信号至多个栅极线。此种移位缓存器电路包含多级移位缓存器,所述级移位缓存器的第N级移位缓存器包含上拉单元与输入单元。电连接于第N栅极线的上拉单元用来根据系统频率与驱动控制电压以上拉第N栅极信号,其中第N栅极线系用以传输第N栅极信号。电连接于上拉单元的输入单元用来根据控制信号与输入信号以输出驱动控制电压。输入单元包含第一晶体管与第二晶体管。第一晶体管具有一用来接收输入信号的第一端、一用来接收控制信号的栅极端、及一第二端。第二晶体管具有一电连接于第一晶体管的第二端的第一端、一电连接于第一晶体管的第一端的栅极端、及一用来输出驱动控制电压的第二端。
依据本发明的实施例,另揭露一种移位缓存器电路,用以提供多个栅极信号至多个栅极线。此种移位缓存器电路包含多级移位缓存器,所述级移位缓存器的第N级移位缓存器包含上拉单元、输入单元、及下拉单元。电连接于第N栅极线的上拉单元用来根据系统频率与驱动控制电压以上拉第N栅极信号,其中第N栅极线系用以传输第N栅极信号。电连接于上拉单元的输入单元用来根据第一输入信号以输出驱动控制电压。电连接于输入单元的下拉单元用来根据控制信号与第二输入信号以下拉驱动控制电压。下拉单元包含第一晶体管、第二晶体管与第三晶体管。第一晶体管具有一电连接于输入单元的第一端、一用来接收控制信号的栅极端、及一第二端。第二晶体管具有一电连接于第一晶体管的第二端的第一端、一用来接收第二输入信号的栅极端、及一用来接收电源电压的第二端。第三晶体管具有一电连接于第一晶体管的第一端的第一端、一电连接于第二晶体管的栅极端的栅极端、及一电连接于第一晶体管的第二端的第二端。
本发明另揭露一种开关装置,用以控制第一节点与第二节点间的连接/断开状态。此种开关装置包含第一晶体管、第二晶体管、及第三晶体管。第一晶体管包含一电连接于第一节点的第一端、一用来接收第一控制信号的栅极端、及一第二端。第二晶体管包含一电连接于第一晶体管的第二端的第一端、一用来接收第二控制信号的栅极端、及一电连接于第二节点的第二端。第三晶体管包含一电连接于第一晶体管的第一端的第一端、一电连接于第二晶体管的栅极端的栅极端、及一电连接于第一晶体管的第二端的第二端。
【附图说明】
图1为本发明第一实施例的移位缓存器电路的示意图。
图2为图1所示的移位缓存器电路执行栅极信号前向扫描运作的相关信号波形示意图,其中横轴为时间轴。
图3为本发明第二实施例的移位缓存器电路的示意图。
图4为本发明第三实施例的移位缓存器电路的示意图。
图5为本发明第四实施例的移位缓存器电路的示意图。
图6为本发明第五实施例的移位缓存器电路的示意图。
【主要组件符号说明】
100、200、300、400、 移位缓存器电路
500
111、211、311、411、 第(N-2)级移位缓存器
511
112、212、312、412、 第(N-1)级移位缓存器
512
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