[发明专利]半导体元件搭载用基板及其制造方法

权利要求书

1.一种在金属板两面形成了预定形状的镀层的半导体元件搭载用基板，其特征在于：

所述镀层包含保护镀层，该保护镀层是在所述金属板表面所形成的凹部内、以比该凹部的深度还薄的厚度所形成的。

2.根据权利要求1所述的半导体元件搭载用基板，其特征在于：

所述保护镀层被形成在所述金属板的一面，所述金属板的另一面的、没有实施所述金属板的处理的部分上形成所述镀层。

3.根据权利要求2所述的半导体元件搭载用基板，其特征在于：

所述另一面是用于搭载半导体元件的面，所述一面是背面。

4.一种在金属板两面形成了预定形状的镀层的半导体元件搭载用基板的制造方法，其特征在于，包含：

保护掩膜形成步骤，在所述金属板两面形成用于形成所述预定形状的镀层的保护掩膜；

蚀刻步骤，在所述金属板的一面，使用蚀刻处理，在从所述金属板的所述保护掩膜露出的部分形成凹部；

第1镀层步骤，在所述凹部内，以比所述凹部的深度还薄的厚度形成镀层；以及，

第2镀层步骤，在所述金属板的另一面形成镀层。

5.根据权利要求4所述的半导体元件搭载用基板的制造方法，其特征在于：

所述保护掩膜在所述蚀刻步骤和所述两个镀层步骤中被使用。

6.根据权利要求5所述的半导体元件搭载用基板的制造方法，其特征在于：

对不搭载半导体元件的背面实施所述蚀刻步骤。

7.根据权利要求6所述的半导体元件搭载用基板的制造方法，其特征在于：

同时实施所述第1镀层步骤和所述第2镀层步骤。

8.根据权利要求7所述的半导体元件搭载用基板的制造方法，其特征在于，还包括：

保护掩膜除去步骤，在实施所述第1镀层步骤以及所述第2镀层步骤之后，除去所述保护掩膜；

第2保护掩膜形成步骤，形成覆盖搭载半导体元件表面侧的镀层的保护掩膜、以及、覆盖整个所述背面的保护掩膜；以及，

半蚀刻步骤，对所述表面侧实施半蚀刻处理。

9.根据权利要求8所述的半导体元件搭载用基板的制造方法，其特征在于：

覆盖所述表面侧的镀层的所述保护掩膜被形成为覆盖比所述镀层的区域还大的区域。