[发明专利]电气、电子部件用铜合金材料及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及适于用作例如引线框、连接器、接线头等电气、电子部件的材料的铜合金材料及其制造方法；特别涉及既具有高强度和高导电性又具有优异的蚀刻性的电气电子部件用铜合金材料及其制造方法。

背景技术

近年的半导体封装正在进行小型化、轻型化等。伴随着在引线框中使用板厚薄的材料，要求开发出强度高的材料。为了进一步薄型化此半导体封装，广泛使用通过蚀刻而部分性地薄化引线框的板厚的半蚀刻(half etching)技术。在通过使用此半蚀刻技术来形成引线框的情况下，重要的是使用蚀刻表面容易被均匀溶解的材料。。

在该半导体封装的引线框中可使用Cu合金材料。作为此铜合金材料，一般使用含有Fe及P的Cu-Fe-P系合金(例如，参照专利文献1)。

就该Cu-Fe-P系合金的一个实例而言，例如含有Fe：2.1～2.6质量％、P0.015～0.15质量％、Zn：0.05～0.2质量％的铜合金(C19400)作为标准的合金而被广泛认知。就改合金而言，通过热处理而导致Fe或者Fe-P化合物从铜的母相中析出，由此具有同时地分别都提高导电性、热导性、强度的优点。

专利文献1：日本特开平3-294459号公报

发明内容

就一般的Cu-Fe-P系合金而言，拉伸强度为400～500MPa左右。然而，可认为，伴随着半导体封装的引线框的薄板化的进程，在引线框需要益发强度高的材料。为了薄型化半导体封装，通过半蚀刻而部分性地薄化引线框的板厚的情况下，如果在引线框的材料中包含粗大的晶出物及析出物，那么存在有蚀刻表面的溶解变得不均匀这样的问题。以往的Cu-Fe-P系合金之中的、Fe的含量高的合金，便易于产生Fe的粗大的晶出物及析出物，在确保均匀的蚀刻性的方面存在有问题。

因此，本发明的目的在于提供具有高强度和高导电性的同时在半蚀刻时也可确保均匀的蚀刻性的电气、电子部件用铜合金材料及其制造方法。解决课题的技术方案

本申请发明人等为解决上述课题而进行了认真研究，结果发现了可根据本申请技术方案1和2涉及的发明即电气、电子部件用铜合金材料与技术方案3涉及的发明即电气、电子部件用铜合金材料的制造方法，从而有效地解决。

[1]技术方案1涉及的发明提供：一种电气、电子部件用铜合金材料，其特征在于，所述铜合金含有0.1～1.0质量％的Fe或Co中的任一方或含有合计为0.1～1.0质量％的Fe和Co，并且含有0.02～0.3质量％的P，Fe及Co的合计与P的质量比(Fe+Co)/P为3～10，剩余部分包含Cu及不可避免的杂质；在前述铜合金中包含的粒径为10nm以上的晶出物及析出物之中，粒径为100nm以上的晶出物及析出物的个数的比例为1.0％以下。

[2]技术方案2涉及的发明提供：一种电气、电子部件用铜合金材料，其特征在于，所述铜合金含有0.1～1.0质量％的Fe或Co中的任一方或含有合计为0.1～1.0质量％的Fe和Co，并且含有0.02～0.3质量％的P，Fe及Co的合计与P的质量比(Fe+Co)/P为3～10，进一步含有合计为0.03～1.0质量％的选自Sn、Zn、Zr、Cr、Ti的1种以上的成分，剩余部分包含Cu及不可避免的杂质；在前述铜合金中包含的粒径为10nm以上的晶出物及析出物之中，粒径为100nm以上的晶出物及析出物的个数的比例为1.0％以下。

[3]提供一种电气、电子部件用铜合金材料的制造方法，其特征在于，将上述[1]或[2]所述的铜合金的原材料进行热轧；在热轧之后的工序中，至少2次实施加工度20％以上的冷轧和在400～470℃加热10秒～10分钟的热处理的组合。

就本发明的铜合金材料而言，具有相比于以往的Cu-Fe-P系合金更优异的强度，在导电性上也维持良好的特性。在此之外，因在材料中不含粗大的晶出物及析出物而可获得均匀的蚀刻表面。

附图说明

图1：表示本发明的第1实施方式的电气、电子部件用铜合金材料的组成规定的图表。

具体实施方式

以下，基于所附附图来具体说明本发明的优选实施方式。

第1实施方式

本第1实施方式的电气、电子部件用的铜合金材料适于用作例如薄型的半导体封装的引线框的材料。

铜合金的主成分