[发明专利]功率半导体器件及使用该器件的功率转换系统

权利要求书

1.一种应用于具有三个或更多个电压波形电平的多电平转换器电路的功率半导体模块，其特征在于，

第一IGBT、其阴极连接到所述第一IGBT的发射极的二极管、以及具有反向阻断电压的第二IGBT容纳于一个封装中，其中所述第二IGBT的发射极连接到所述第一IGBT的发射极，且所述第一IGBT的集电极、所述第二IGBT的集电极、所述第一IGBT的发射极与所述第二IGBT的发射极的连接点、以及所述二极管的阳极均为外部端子。

2.如权利要求1所述的功率半导体模块，其特征在于，

所述第一IGBT的所述集电极是连接到直流电源的正电极的端子P，所述第二IGBT的所述集电极是连接到所述直流电源的中间点的端子M，所述第一IGBT的所述发射极与所述第二IGBT的所述发射极的所述连接点是输出端子U，所述二极管的所述阳极是连接到所述直流电源的所述负电极的端子N，且端子阵列以线性形式按照所述端子P、所述端子M、所述端子N以及所述端子U的顺序放置。

3.一种应用于具有三个或更多个电压波形电平的多电平转换器电路的功率半导体模块，其特征在于，

第一IGBT、其阳极连接到所述第一IGBT的集电极的二极管、以及具有反向阻断电压的第二IGBT容纳于一个封装中，其中所述第二IGBT的集电极连接到所述第一IGBT的集电极，且所述第一IGBT的发射极、所述第二IGBT的发射极、所述第一IGBT的集电极与所述第二IGBT的集电极的连接点、以及所述二极管的阴极均为外部端子。

4.如权利要求3所述的功率半导体模块，其特征在于，

所述第一IGBT的所述发射极是连接到直流电源的负电极的端子N，所述第二IGBT的所述发射极是连接到所述直流电源的中间点的端子M，所述第一IGBT的所述集电极与所述第二IGBT的所述集电极的所述连接点是输出端子U，所述二极管的所述阴极是连接到所述直流电源的正电极的端子P，且端子阵列以线性形式按照所述端子P、所述端子M、所述端子N以及所述端子U的顺序放置。

5.一种应用于具有三个或更多个电压波形电平的多电平转换器电路的功率半导体模块，其特征在于，

第一IGBT、其阴极连接到所述第一IGBT的发射极的第一二极管、以及第二二极管和第二IGBT的串联电路容纳于一个封装中，其中所述串联电路的一端连接到所述第一IGBT的发射极，且所述第一IGBT的集电极、所述串联电路的另一端、所述第一IGBT的发射极与所述串联电路的所述一端的连接点、以及所述第一二极管的阳极均为外部端子。

6.如权利要求5所述的功率半导体模块，其特征在于，

所述第一IGBT的所述集电极是连接到直流电源的正电极的端子P，所述串联电路的另一端是连接到所述直流电源的中间点的端子M，所述第一IGBT的所述发射极和所述串联电路的所述一端的所述连接点是输出端子U，所述第一二极管的所述阳极是连接到所述直流电源的负电极的端子N，且端子阵列以线性形式按照所述端子P、所述端子M、所述端子N以及所述端子U的顺序放置。

7.一种应用于具有三个或更多个电压波形电平的多电平转换器电路的功率半导体模块，其特征在于，

第一IGBT、其阳极连接到所述第一IGBT的集电极的第一二极管、以及第二二极管和第二IGBT的串联电路容纳于一个封装中，其中所述串联电路的一端连接到所述第一IGBT的集电极，且所述第一IGBT的发射极、所述串联电路的另一端、所述第一IGBT的集电极与所述串联电路的连接点、以及所述第一二极管的阴极均为外部端子。

8.如权利要求7所述的功率半导体模块，其特征在于，

所述第一IGBT的所述发射极是连接到直流电源的负电极的端子N，所述串联电路的另一端是连接到所述直流电源的中间点的端子M，所述第一IGBT的所述集电极与所述串联电路的所述一端的所述连接点是输出端子U，所述第一二极管的所述阴极是连接到所述直流电源的正电极的端子P，且端子阵列以线性形式按照所述端子P、所述端子M、所述端子N以及所述端子U的顺序放置。

9.一种功率转换系统，其特征在于，

通过使如权利要求2所述的功率半导体模块和如权利要求4所述的功率半导体模块相邻地放置，由此使所述两个功率半导体模块的所述端子阵列相互平行。

10.一种功率转换系统，其特征在于，

通过使如权利要求6所述的功率半导体模块和如权利要求8所述的功率半导体模块相邻地放置，由此使所述两个功率半导体模块的所述端子阵列相互平行。