[发明专利]正交相二氧化锡薄膜的制备方法

权利要求书

1.一种交相二氧化锡薄膜的制备方法，其特征在于具体操作步骤如下：

    a. 制备用于脉冲激光沉积的二氧化锡靶材：①利用溶胶凝胶法制备高纯的二氧化锡粉末在27±2% SnCl₄乙醇溶液中逐滴滴加28±2%氨水使其反应均匀，反应过程中实时检测其pH值，当pH = 7时，结束反应，可观测到白色溶胶产生；陈化24±0.2小时后，用乙醇、丙酮进行洗涤数次，用AgNO₃检测滤出液，直至检测不到Cl^-为止；所得凝胶放入真空干燥箱100℃±5℃烘干水分及洗涤剂，得块状样品；研磨成粉末，制备出粒径4±0.5纳米的二氧化锡粉末；②将其粉末在0.3～0.5 GPa 压力下制作成直径15±2毫米，厚度4±0.2毫米圆块；将其圆块在1150±50℃下烧结2±0.2小时，即成为脉冲激光沉积的二氧化锡靶材；

b. 利用脉冲激光沉积方法冲击靶材，选择KrF激光，设置脉冲能量为350 mJ，波长248 nm，频率10 Hz，脉冲间隔时间34纳秒，每个脉冲注入量为5±0.1 J/cm²；当沉积室真空度优于1×10 ^-6 mbar时，开始引入脉冲激光，打向所述靶材，控制氧分压为3±0.1×10 ^-2 Pa，将靶材沉积在硅衬底上，该衬底温度为320±10 ^oC，硅衬底距离靶材4±0.1厘米，在上述条件下得到正交相二氧化锡薄膜。

2.根据权利要求1所述的交相二氧化锡薄膜的制备方法，其特征在于制得所述交相二氧化锡薄膜在室温下进行光学性质测量，该正交相二氧化锡薄膜的透明度应优于常规的四方相二氧化锡，这种正交相二氧化锡薄膜的带隙E_g = 4.02 eV大于四方相二氧化锡的带隙E_g = 3.6 eV。