[发明专利]可挠式基板结构及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201110051030.1 申请日: 2011-02-25
公开(公告)号: CN102176435A 公开(公告)日: 2011-09-07
发明(设计)人: 胡克龙;王品凡;胡至仁 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: H01L23/14 分类号: H01L23/14;H01L21/77;B32B27/06;B32B27/08
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 代理人: 张浴月;刘文意
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 可挠式基 板结 及其 制作方法
【权利要求书】:

1.一种可挠式基板结构,包括:

一支撑载板;

一可挠式基底,设置于该支撑载板上;以及

一离型层,设置于该支撑载板与该可挠式基底之间,且该离型层分别与该可挠式基底以及该支撑载板接触,其中该离型层包括一具有粘着性的粘着区用以接合该可挠式基底与该支撑载板,以及一不具粘着性的离型区用以支撑该可挠式基底。

2.如权利要求1所述的可挠式基板结构,其中该离型层包括一光感应粘着层,其可借由一光线的照射而发挥粘着性。

3.如权利要求2所述的可挠式基板结构,其中该离型层的材料包括聚对二甲基苯或环烯烃聚合物。

4.如权利要求1所述的可挠式基板结构,其中该支撑载板包括一玻璃载板、一半导体载板或一金属载板。

5.如权利要求1所述的可挠式基板结构,其中该可挠式基底的材料包括聚亚酰胺、聚碳酸酯、聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚原冰烯、聚乙烯对苯二甲酸酯、聚醚醚酮、聚萘二甲酸乙二醇酯或聚醚亚酰胺。

6.如权利要求1所述的可挠式基板结构,其中该可挠式基底未与该支撑载板接触。

7.如权利要求1所述的可挠式基板结构,其中该离型层全面性地覆盖该可挠式基底。

8.如权利要求1所述的可挠式基板结构,该可挠式基底包含一中央区以及一包围该中央区的周边区,其中该离型层的具有粘着性的该粘着区对应于该可挠式基底的该周边区,且该离型层的不具粘着性的该离型区对应于该可挠式基底的该中央区。

9.如权利要求8所述的可挠式基板结构,其中在该可挠式基底的该中央区脱离该离型层之后,位于该离型区的该离型层仍留在该支撑载板上。

10.一种制作可挠式基板结构的方法,包括:

提供一支撑载板;

于该支撑载板上形成一离型层;以及

进行一局部改质工艺,以将部分该离型层改质而形成一具有粘着性的粘着区,而未改质的该离型层则形成一不具粘着性的离型区。

11.如权利要求10所述的制作可挠式基板结构的方法,另包括于该离型层上形成一可挠式基底,其中该离型层分别与该支撑载板以及该可挠式基底接触,且该支撑载板以及该可挠式基底借由该离型层的该粘着区接合。

12.如权利要求11所述的制作可挠式基板结构的方法,其中该局部改质工艺于形成该可挠式基底之前进行。

13.如权利要求11所述的制作可挠式基板结构的方法,其中该局部改质工艺于形成该可挠式基底之后进行。

14.如权利要求10所述的制作可挠式基板结构的方法,其中该离型层全面性地覆盖该可挠式基底。

15.如权利要求10所述的制作可挠式基板结构的方法,其中该离型层包括一光感应粘着层,且该局部改质工艺包括利用一光源进行一局部曝光工艺,以使被该光源照射的部分该离型层产生粘着性而形成该粘着区,而未被该光源照射的部分该离型层则不具有粘着性而形成该离型区。

16.如权利要求15所述的制作可挠式基板结构的方法,其中该局部曝光工艺的曝光时间大体上介于40秒与120秒之间。

17.如权利要求15所述的制作可挠式基板结构的方法,其中该光源包括一紫外光源。

18.如权利要求17所述的制作可挠式基板结构的方法,其中该紫外光源的波长大体上介于1纳米与400纳米之间。

19.如权利要求15所述的制作可挠式基板结构的方法,其中该光源包括一激光光源。

20.如权利要求10所述的制作可挠式基板结构的方法,其中该离型层包括一热感应粘着层,该局部改质工艺包括一局部热工艺,以使被加热的部分该离型层形成该粘着区,而未被加热的部分该离型层则不具有粘着性而形成该离型区。

21.如权利要求20所述的制作可挠式基板结构的方法,其中该局部热工艺于一有氧环境下进行,且该局部热工艺的工艺温度大体上大于200℃。

22.如权利要求10所述的制作可挠式基板结构的方法,其中该局部改质工艺的能量大体上介于76Kcal/mol与140Kcal/mol之间。

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