[发明专利]有机发光显示装置及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及有机发光显示装置及其制造方法。

背景技术

有机发光显示装置不仅能做到轻薄，还具有视角广、响应速度快以及电耗低等优点，因而，其作为下一代显示装置而受人瞩目。

另外，实现出全彩(full color)的有机发光显示装置采用光学共振结构，所述光学共振结构使各个波长的光学长度发生变化，所述各个波长的光学长度是从不同颜色的各个像素(例如，红色像素、绿色像素、蓝色像素)的有机发光层射出的。

发明内容

本发明的目的在于提供一种光特性以及器件特性优良，且制造工序简单的有机发光显示装置及其制造方法。

根据本发明一方面，本发明提供一种有机发光显示装置，包括：缓冲层，设置于基板上，并包括折射率不同的多个绝缘膜，所述多个绝缘膜中的至少一个在同一面上形成为不同的厚度；薄膜晶体管的活性层，形成于所述缓冲层的厚度较厚的区域；像素电极，形成于所述缓冲层的厚度较薄的区域；薄膜晶体管的栅电极、源电极以及漏电极，所述栅电极隔着栅绝缘膜形成于所述活性层上，所述源电极以及漏电极连接于所述活性层；发光层，形成于所述像素电极上；以及相对电极，隔着所述发光层，与所述像素电极相对地设置。

根据本发明的另一特征，在所述多个绝缘膜中，形成为具有不同厚度的膜可以是所述缓冲层中的最上层膜。

根据本发明的另一特征，所述缓冲层中的最上层膜氢含量相比于所述最上层膜的下部膜低。

根据本发明的另一特征，所述活性层包括多晶硅，所述缓冲层中的最上层膜的下部膜，填充至所述多晶硅的缺陷位置，从而可以矫正缺陷。

根据本发明的另一特征，所述缓冲层中的最上层膜以及所述最上层膜的下部膜，分别可以是氧化硅以及氮化硅。

根据本发明的另一特征，所述缓冲层中厚度较厚的区域的截面形状，与所述活性层的蚀刻面的截面可以相同。

根据本发明的另一特征，所述多个绝缘膜中，相互邻近的膜的折射率可以不同。

根据本发明的另一特征，所述栅绝缘膜可以包括多个折射率不同的膜。

根据本发明的另一特征，在所述栅绝缘膜的多个膜可以为，接触所述活性层的膜的氢含量相比不接触所述活性层的膜低。

根据本发明的另一特征，所述活性层包括多晶硅，不接触于所述活性层的膜填充至所述多晶硅的缺陷位置，从而可以矫正所述缺陷。

根据本发明的另一特征，在所述栅绝缘膜的多个膜中，接触所述活性层的膜以及不接触所述活性层的膜分别可以是氧化硅以及氮化硅。

根据本发明的另一特征，所述像素电极可以为透明电极，所述相对电极可以为反射电极。

根据本发明的另一特征，还可包括电容器的下部电极和电容器的上部电极。所述下部电极形成于与所述活性层相同的层中，所述缓冲层的厚度较厚的区域，所述上部电极形成于与所述栅电极相同的层。

根据本发明的另一特征，所述下部电极的端部，与所述缓冲层的厚度厚的区域的端部的蚀刻面形状可以相同。

根据本发明的另一特征，所述下部电极包括多晶硅，所述栅绝缘膜的多个膜可以为，接触所述下部电极的膜的氢含量，相比不接触于所述下部电极的其他膜低。

根据本发明的另一特征，接触于所述下部电极的膜以及不接触于所述下部电极的膜，分别可以是氧化硅以及氮化硅。

根据本发明另一方面，本发明提供一种有机发光显示装置的制造方法，包括：在基板上形成缓冲层，所述缓冲层包括折射率不同的多个绝缘膜；在所述缓冲层上形成半导体层之后图案化所述半导体层，从而形成活性层，所述缓冲层被形成为：形成有所述活性层的区域相比于未形成有所述活性层的区域，厚度还厚；形成栅绝缘膜以覆盖所述活性层，在所述栅绝缘膜上的所述缓冲层厚度薄的区域中形成像素电极，隔着所述栅绝缘膜，在所述活性层上形成栅电极；形成层间绝缘膜，在所述层间绝缘膜上形成开口，以露出部分所述活性层以及部分像素电极；形成连接于所述活性层的源电极以及漏电极；以及形成覆盖所述源电极以及所述漏电极且具有开口的像素定义膜，所述开口露出所述像素电极。

根据本发明的其他特征，在所述基板上形成包括多个折射率不同的绝缘膜的缓冲层时，所述缓冲层中的最上层膜可以形成为比其他膜厚。

根据本发明的另一其他特征，可将所述缓冲层中的最上层膜，在同一面上形成为不同的厚度。

根据本发明的另一其他特征，以所述活性层作为遮盖掩模，可以将缓冲层蚀刻成具有不同的厚度。

根据本发明的另一其他特征，形成所述活性层时，可伴随着进行非晶硅的结晶化工序。