[发明专利]有机发光显示装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201110050250.2 申请日: 2011-02-28
公开(公告)号: CN102456705A 公开(公告)日: 2012-05-16
发明(设计)人: 崔宝京;曹圭湜;文相皓;崔埈厚;柳春其;朴鲜;朴锺贤;李律圭 申请(专利权)人: 三星移动显示器株式会社
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56
代理公司: 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 代理人: 余朦;王艳春
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 有机 发光 显示装置 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种有机发光显示装置,包括:

缓冲层,设置于基板上,并包括折射率不同的多个绝缘膜,所述多个绝缘膜中的至少一个在同一面上形成为不同的厚度;

薄膜晶体管的活性层,形成于所述缓冲层的厚度较厚的区域;

像素电极,形成于所述缓冲层的厚度较薄的区域;

薄膜晶体管的栅电极、源电极以及漏电极,所述栅电极隔着栅绝缘膜形成于所述活性层上,所述源电极以及漏电极连接于所述活性层;

发光层,形成于所述像素电极上;以及

相对电极,隔着所述发光层,与所述像素电极相对地设置。

2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,

在所述多个绝缘膜中,形成为具有不同厚度的膜是所述缓冲层中的最上层膜。

3.根据权利要求2所述的有机发光显示装置,其中,

所述缓冲层中的最上层膜的氢含量,相比所述最上层膜的下部膜低。

4.根据权利要求3所述的有机发光显示装置,其中,

所述活性层包括多晶硅,

所述缓冲层中的最上层膜的下部膜,填充至所述多晶硅的缺陷位置,以矫正所述缺陷。

5.根据权利要求3所述的有机发光显示装置,其中,

所述缓冲层中的最上层膜以及所述最上层膜的下部膜,分别是氧化硅以及氮化硅。

6.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,

所述缓冲层中厚度较厚的区域的端部形状,与所述活性层的蚀刻面的端部形状相同。

7.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,

所述多个绝缘膜中相互邻近的膜的折射率不同。

8.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,

所述栅绝缘膜包括多个折射率不同的膜。

9.根据权利要求8所述的有机发光显示装置,其中,

在所述栅绝缘膜的多个膜中,接触于所述活性层的膜的氢含量,相比不接触于所述活性层的膜低。

10.根据权利要求8所述的有机发光显示装置,其中,

所述活性层包括多晶硅,

不接触于所述活性层的膜填充至所述多晶硅的缺陷位置,以矫正所述缺陷。

11.根据权利要求8所述的有机发光显示装置,其中,

在所述栅绝缘膜的多个膜中,接触所述活性层的膜以及不接触所述活性层的膜分别是氧化硅以及氮化硅。

12.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,

所述像素电极为透明电极,所述相对电极为反射电极。

13.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,还包括:

电容器的下部电极,形成于与所述活性层相同的层中所述缓冲层的厚度较厚的区域;以及

电容器的上部电极,形成于与所述栅电极相同的层。

14.根据权利要求13所述的有机发光显示装置,其中,

所述下部电极的端部,与所述缓冲层的厚度较厚的区域的端部的蚀刻面形状相同。

15.根据权利要求13所述的有机发光显示装置,其中,

所述下部电极包括多晶硅,所述栅绝缘膜的多个膜中,接触于所述下部电极的膜的氢含量,相比不接触于所述下部电极的其他膜低。

16.根据权利要求15所述的有机发光显示装置,其中,

接触于所述下部电极的膜以及不接触于所述下部电极的膜,分别是氧化硅以及氮化硅。

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