[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括：

栅电极，形成在基板上；

半导体图案，与所述栅电极重叠并包括非晶多元素化合物，所述多元素化合物包括II B族元素和VI A族元素或者包括III A族元素和V A族元素，其中所述VI A族元素包括不包括氧，其中所述半导体图案具有不小于1.0cm²/Vs的电子迁移率，且其中所述多元素化合物具有非晶相；

源电极，与所述半导体图案的第一端重叠；及

漏电极，与所述半导体图案的第二端重叠且与所述源电极间隔开。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述多元素化合物包括选自GaAs、GaSb、GaBi、GaP、InP、InAs、InSb、InBi、CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、HgS、HgSe、HgTe、AlP、AlAs、AlSb和AlBi构成的组中的一种。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述多元素化合物还包括选自II A族元素、III B族元素、IV B族元素、V B族元素、VI B族元素、VIIB族元素、I B族元素、IVA族元素和VIII B族元素构成的组中的至少一种。

4.如权利要求3所述的薄膜晶体管，其中所述多元素化合物包括选自Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Ra、Sc、Y、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Tc、Re、C、Si、Ge、Sn、Pb、Cu、Ag、Au、Fe、Ru、Os、Co、Rh、Ir、Ni、Pd和Pt构成的组中的至少一种。

5.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述多元素化合物包括选自InGaP、InGaAs、InGaSb、InAlP、InAlAs、InAlSb、AlGaP、AlGaAs、AlGaSb、GaAsP、GaAsSb、GaAsBi、GaSbP、GaSbBi、GaSbP、GaBiP、AlAsP、AlAsSb、AlAsBi、AlSbP、AlSbBi、AlSbP、AlBiP、InAsP、InAsSb、InAsBi、InSbP、InSbBi、InSbP和InBiP构成的组中的一种。

6.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述多元素化合物还包括碳、氧或氢原子，且其中碳、氧和氢原子中每种的含量为1x10¹³原子/cm³至1x1019原子/cm³。

7.一种薄膜晶体管，包括：

栅电极，形成在基板上；

半导体图案，与所述栅电极重叠并包括多元素化合物，所述多元素化合物包括II B族元素和VI A族元素或者包括III A族元素和V A族元素，其中所述VI A族元素包括不包括氧，且其中所述多元素化合物具有包括非晶相和晶体相的混合相；

源电极，与所述半导体图案的第一端重叠；及

漏电极，与所述半导体图案的第二端重叠且与所述源电极间隔开。

8.如权利要求7所述的薄膜晶体管，其中所述晶体相包括具有0.1nm至1μm的晶粒尺寸的多个晶粒。

9.如权利要求7所述的薄膜晶体管，其中所述多元素化合物包括选自GaAs、GaSb、GaBi、GaP、InP、InAs、InSb、InBi、CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、HgS、HgSe、HgTe、AlP、AlAs、AlSb和AlBi构成的组中的一种。

10.如权利要求7所述的薄膜晶体管，其中所述多元素化合物还包括选自II A族元素、III B族元素、IV B族元素、V B族元素、VI B族元素、VIIB族元素、I B族元素、IVA族元素和VIII B族元素构成的组中的至少一种。

11.如权利要求10所述的薄膜晶体管，其中所述多元素化合物包括选自Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Ra、Sc、Y、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Tc、Re、C、Si、Ge、Sn、Pb、Cu、Ag、Au、Fe、Ru、Os、Co、Rh、Ir、Ni、Pd和Pt构成的组中的至少一种。