[发明专利]一种高锰硅热电材料的固相反应制备方法无效
申请号: | 201110046985.8 | 申请日: | 2011-02-28 |
公开(公告)号: | CN102174677A | 公开(公告)日: | 2011-09-07 |
发明(设计)人: | 唐新峰;姚凤霞;罗文辉;林泽冰 | 申请(专利权)人: | 武汉理工大学 |
主分类号: | C22C1/05 | 分类号: | C22C1/05;H01L35/34 |
代理公司: | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人: | 唐万荣 |
地址: | 430070 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高锰硅 热电 材料 相反 制备 方法 | ||
1.一种高锰硅热电材料的固相反应制备方法,其特征在于它包括如下步骤:
1)以Si粉和Mn粉为原料,按Si粉与Mn粉的摩尔比为(1.75~1.80)∶1,称取Si粉和Mn粉,将Si粉和Mn粉混合均匀,得到混合均匀的粉体;
2)将混合均匀的粉体在压片机上压成块体,将块体置于石英玻璃管中,抽真空并密封,再置于马弗炉中于850~900℃固相反应12~24h,保温结束后随炉冷却,得到产物;
3)将步骤2)所得产物研磨成细粉;
4)将步骤3)所得细粉进行放电等离子体烧结,得到致密的高锰硅热电材料。
2.根据权利要求1所述的一种高锰硅热电材料的固相反应制备方法,其特征在于:步骤1)的制备过程中加入掺杂元素,掺杂元素为Mn位掺杂元素,步骤1)的原料选取按Si粉与Mn位元素的摩尔比为(1.75~1.80)∶1,其中Mn位元素为Mn粉和Mn位掺杂元素,称取Si粉、Mn粉和Mn位掺杂元素;Mn位掺杂元素为Cr、Mo或Re;掺杂元素的掺入量为Mn位元素摩尔总量的0~5%;掺杂元素在步骤1)中与Si粉和Mn粉一起混合。
3.根据权利要求1所述的一种高锰硅热电材料的固相反应制备方法,其特征在于:步骤1)的制备过程中加入掺杂元素,掺杂元素为Si位掺杂元素,步骤1)的原料选取按Si位元素与Mn粉的摩尔比为(1.75~1.80)∶1,其中Si位元素为Si粉和Si位掺杂元素,称取Si粉、Si位掺杂元素和Mn粉;Si位掺杂元素有B、Al、Ge或Sn;掺杂元素的掺入量为Si位元素摩尔总量的0~5%;掺杂元素在步骤1)中与Si粉和Mn粉一起混合。
4.根据权利要求1所述的一种高锰硅热电材料的固相反应制备方法,其特征在于:所述的步骤1)中,Si粉和Mn粉的质量纯度均≥99.9%。
5.根据权利要求1所述的一种高锰硅热电材料的固相反应制备方法,其特征在于:所述的步骤2)中,固相反应过程中以10℃/min的升温速率从300℃升温到850℃~900℃,然后保温12h~24h。
6.根据权利要求1所述的一种高锰硅热电材料的固相反应制备方法,其特征在于:所述的步骤4)中,细粉进行放电等离子体烧结的过程为:将细粉装入Φ15mm的石墨模具中压实,然后烧结,烧结条件为:真空小于10Pa、烧结压力30~50MPa,烧结温度为800~950℃、升温速率30~100℃/min、烧结致密化时间20~30min。
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