[发明专利]用于封装的基板及其制造方法

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求于2010年12月24日提交的、名称为“用于封装的基板以及制造该基板的方法”(Substrate for Package and Method for Manufacturing the Same)”的韩国专利申请No.10-2010-0134736的优先权，该专利申请的全部内容通过引入合并到本申请中。

技术领域

本发明涉及一种用于封装的基板及其制造方法。

背景技术

近来，随着用作在基板与电子设备之间的内插板的基板的薄、轻和小得到高速的发展，对于能实现高密度和精细图形的基板，通过使用溅射来形成用于形成图形的种子层。

但是，通过使用溅射而形成的种子层引起与绝缘层的粘附力降低的问题，因此，急迫地需要解决这个问题。

发明内容

本发明致力于提供一种用于封装的基板以及制造该基板的方法，通过使光敏绝缘层的表面形成为粗糙面(roughness)的特定的图形，所述基板能提高种子层与绝缘层之间的粘附力。

另外，本发明致力于提供一种用于制造用于封装的基板的方法，所述基板能同时形成粗糙面和过孔的特定的图形。

根据本发明的一种优选的实施方式，提供了一种用于封装的基板，该基板包括：基底基板；在所述基底基板的一个表面上形成的表面为粗糙面的光敏绝缘层；和在所述光敏绝缘层的一个表面上形成的种子层。

所述绝缘层还可包括用于暴露在所述基底基板上的连接焊盘的导通孔(via hole)。

所述粗糙面可以具有预定的图形，并且可以通过包括曝光和显影工序的光刻技术形成。

所述种子层可以包括第一种子层和在所述第一种层上形成的第二种层。所述第一种子层可以是钛(Ti)层、钛-钨(TiW)层、氮化钛(TiN)层、铬(Cr)层、镍(Ni)层、铝(Al)层或它们的合金层。所述第二种子层为铜(Cu)层、镍(Ni)层、镍钒(NiV)层或它们的合金层。

所述用于封装的基板还可包括在所述种子层上形成的电路图形层。

根据本发明的一种优选的实施方式，提供了一种用于制造用于封装的基板的方法，该方法包括：制备基底基板；在所述基底基板上形成光敏绝缘层；使所述光敏绝缘层的表面形成为粗糙面；以及在所述光敏绝缘层的形成为粗糙面的所述表面上形成种子层。

形成所述粗糙面可以包括形成用于暴露所述基底基板的连接焊盘的导通孔。

所形成的粗糙面可以具有预定的图形。

使所述绝缘层的所述表面形成为粗糙面可以包括在所述绝缘层上面设置具有图形的掩模；以及通过曝光和显影工序，根据在所述绝缘层的所述表面上的图形形成粗糙面。

所述图形可以包括用于形成所述粗糙面的图形和用于形成所述导通孔的图形，并且所述用于形成所述粗糙面的图形和所述用于形成所述导通孔的图形可以具有不同的透光率。

所述种子层可以包括第一种子层和在所述第一种层上形成的第二种子层。所述第一种子层可以是钛(Ti)层、钛-钨(TiW)层、氮化钛(TiN)层、铬(Cr)层、镍(Ni)层、铝(Al)层或它们的合金层。所述第二种子层可以是铜(Cu)层、镍(Ni)层、镍钒(NiV)层或它们的合金层。所述种子层也可以通过溅射形成。

所述方法还可包括在形成所述种子层之后，在所述种子层上形成电路图形层。

附图说明

图1为说明根据本发明的一种优选的实施方式的用于封装的基板的结构的横截面图；

图2至图8说明根据本发明的一种优选的实施方式的用于封装的基板的制造方法的工艺流程图；

图9为说明用于根据本发明的一种优选的实施方式的用于封装的基板的制造方法的掩模的结构和通过使用该掩模在绝缘层上形成粗糙面的工艺的横截面图。

具体实施方式

结合附图，由以下各实施方式的描述，本发明的各种目的、优点和特征显而易见。

在本说明书和权利要求书中使用的术语和词语不应理解为局限于典型的含义或字典上的定义，而是应理解为基于发明人可适当定义该术语的概念来描述人们所知的实施本发明的最佳方法的准则，具有与本发明的技术范围相关的含义和概念。