[发明专利]晶粒尺寸沿板厚方向呈对称梯度分布的镁合金板带的制备方法无效
申请号: | 201110041357.0 | 申请日: | 2011-02-21 |
公开(公告)号: | CN102127724A | 公开(公告)日: | 2011-07-20 |
发明(设计)人: | 杨续跃;张雷 | 申请(专利权)人: | 中南大学 |
主分类号: | C22F1/06 | 分类号: | C22F1/06 |
代理公司: | 长沙市融智专利事务所 43114 | 代理人: | 颜勇 |
地址: | 410083 湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶粒 尺寸 沿板厚 方向 对称 梯度 分布 镁合金 制备 方法 | ||
1.晶粒尺寸沿板厚方向呈对称梯度分布的镁合金板带的制备方法,包括下述步骤:
第一步:弯曲变形
将均匀化处理后的镁合金板带在25~250℃进行双向反复弯曲变形累积孪生变形,控制单道次变形量为0.01~0.25;
第二步:再结晶退火
将第一步所得镁合金板带进行再结晶退火,即得到表层晶粒尺寸和织构沿板带厚度方向呈梯度分布的镁合金板带。
2.根据权利要求1所述晶粒尺寸沿板厚方向呈对称梯度分布的镁合金板带的制备方法,其特征在于:所述弯曲变形累积变形量小于等于0.03时,在350~450℃,保温10~40分钟,进行再结晶退火,获得表层晶粒粗化、晶粒尺寸和织构沿板带厚度方向呈梯度分布的镁合金板带。
3.根据权利要求1所述晶粒尺寸沿板厚方向呈对称梯度分布的镁合金板带的制备方法,其特征在于:所述弯曲变形累积变形量大于等于1.2时,在200~350℃,保温5~30分钟,进行再结晶退火,获得表层晶粒细化、晶粒尺寸和织构沿板带厚度方向呈梯度分布的镁合金板带。
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