[发明专利]发光器件和发光器件封装

说明书

本申请要求于2010年3月15日提交的韩国专利申请No.10-2010-0022754的优先权，其通过引用整体合并在此。

技术领域

本发明涉及发光器件和发光器件封装。

背景技术

发光二极管(LED)是一种将电能转换为光的半导体器件。与诸如荧光灯或者辉光灯的传统的光源相比较，LED在功率消耗、寿命、响应速度、安全、以及环保要求方面是有利的。考虑此，已经进行了各种研究以将传统的光源替换为LED。LED日益被用作用于诸如各种灯、液晶显示器、电子标识牌、以及街灯的照明装置的光源。

发明内容

实施例提供具有新颖的结构的发光器件和发光器件封装。

实施例提供能够提高可靠性的发光器件和发光器件封装。

根据实施例，发光器件包括：发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层、第一导电半导体层上的有源层、以及有源层上的第二导电半导体层；粘附层，该粘附层接触第一导电半导体层的顶表面；第一电极，该第一电极接触第一导电半导体的顶表面和粘附层的顶表面；以及第二电极，该第二电极接触第二导电半导体层，其中接触第一电极的粘附层与第二电极隔开。

根据实施例，发光器件包括：导电支撑构件；导电支撑构件上的发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层、有源层、以及第二导电半导体层；粘附层，该粘附层接触发光结构的顶表面；以及电极，该电极接触粘附层的顶表面和发光结构的顶表面。

根据实施例，发光器件封装包括：主体；主体上的发光器件；以及成型构件，该成型构件包围发光器件，其中发光器件包括：发光结构，该发光结构包括第一导电半导体层、有源层、以及第二导电半导体层；粘附层，该粘附层接触第一导电半导体层的顶表面；第一电极，该第一电极接触第一导电半导体的顶表面和粘附层的顶表面；以及第二电极，该第二电极接触第二导电半导体层，其中接触第一电极的粘附层与第二电极隔开。

附图说明

图1是示出根据第一实施例的发光器件的截面图；

图2是示出图1的发光器件的平面图；

图3是图1的发光器件的区域A的放大图；

图4是示出根据第二实施例的发光器件的截面图；

图5是示出根据第三实施例的发光器件的截面图；

图6是示出根据第四实施例的发光器件的截面图；

图7至图11是示出根据第一实施例的发光器件的制造工艺的视图；

图12是示出根据第五实施例的发光器件的截面图；

图13至图20是示出根据第五实施例的发光器件的制造工艺的视图；

图21是示出根据实施例的包括发光器件的发光器件封装的截面图；

图22是示出根据实施例的显示设备的分解透视图；

图23是示出根据实施例的显示设备的视图；以及

图24是示出根据实施例的照明装置的透视图。

具体实施方式

在实施例的描述中，将会理解的是，当层(或膜)、区域、图案或结构被称为在另一衬底、另一层(或膜)、另一区域、另一垫、或者另一图案“上”或“下”时，它能够“直接”或“间接”在另一衬底、层(或膜)、区域、垫或图案上，或者也可以存在一个或多个中间层。已经参考附图描述了层的这样的位置。

为了方便或清楚起见，附图中所示的每层的厚度和尺寸可以被夸大、省略或示意性绘制。另外，元件的尺寸没有完全反映真实尺寸。

图1是示出根据第一实施例的发光器件100的截面图，图2是示出图1的发光器件的平面图，并且图3是图1的发光器件的区域A的放大图。

参考图1至图3，根据第一实施例的发光器件100包括：生长衬底105；发光结构110，通过在生长衬底105上顺序地堆叠第一导电半导体层112、有源层114、以及第二导电半导体层116来形成发光结构110，并且发光结构110具有其中暴露第一导电半导体层112的顶表面的区域S；粘附层130，该粘附层130允许暴露区域S中的第一导电半导体层112的顶表面的至少一部分；第一电极150，该第一电极150形成在粘附层130和区域S的第一导电半导体层112上；透射电极层120，该透射电极层120形成在第二导电半导体层116上；以及第二电极140，该第二电极140形成在第二导电半导体层116和透射电极层120上。

生长衬底105可以包括从由单晶蓝宝石(Al₂O₃)、SiC、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP、Ge、SiGe组成的组中选择的至少一个，但是实施例不限于此。