[发明专利]发光器件和发光器件封装

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层上的有源层、以及所述有源层上的第二导电半导体层；

粘附层，所述粘附层接触所述第一导电半导体层的顶表面；

第一电极，所述第一电极接触所述第一导电半导体的顶表面和所述粘附层的顶表面；以及

第二电极，所述第二电极接触所述第二导电半导体层，

其中接触所述第一电极的粘附层与所述第二电极隔开。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其中接触所述第一导电半导体层的顶表面的所述第一电极的底表面具有所述第一电极的顶表面的大约10％至大约95％的面积。

3.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一电极和所述粘附层之间的垂直重叠区域具有所述第一电极的顶表面的大约5％至大约90％的宽度。

4.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述粘附层包括透射导电材料或者透射绝缘材料中的至少一个。

5.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述粘附层包括从由SiO₂、SiO_x、SiO_xN_y、Si₃N₄、TiO₂、Al₂O₃、ITO(铟锡氧化物)、IZO(铟锌氧化物)、IZTO(铟锌锡氧化物)、IAZO(铟铝锌氧化物)、IGZO(铟镓锌氧化物)、IGTO(铟镓锡氧化物)、AZO(铝锌氧化物)、ATO(锑锡氧化物)、GZO(镓锌氧化物)、IrOx、以及RuOx组成的组中选择的至少一个。

6.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述粘附层沿着所述发光结构的侧表面从所述第一导电半导体层的顶表面延伸到所述第二导电半导体层的顶表面的一部分。

7.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述粘附层包括：

第一层，所述第一层在所述第一导电半导体层的顶表面上并且包括透射绝缘材料；和

第二层，所述第二层在所述第一层上并且包括透射导电材料。

8.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述粘附层包括：

第一层，所述第一层在所述第一导电半导体层的顶表面上并且具有高折射率；和

第二层，所述第二层在所述第一层上并且具有低折射率。

9.根据权利要求1所述的发光器件，进一步包括凹凸结构，所述凹凸结构在所述粘附层的顶表面和所述粘附层的底表面中的至少一个上。

10.根据权利要求1所述的发光器件，进一步包括在所述第二导电半导体层的顶表面上的透射电极层。

11.根据权利要求10所述的发光器件，其中所述粘附层被布置在所述第一导电半导体层的侧表面和顶表面、所述有源层的侧表面、以及所述第二导电半导体层的顶表面和侧表面上。

12.根据权利要求11所述的发光器件，其中所述透射电极层与所述第二导电半导体层的顶表面上的所述粘附层的一端隔开。

13.根据权利要求10所述的发光器件，其中所述粘附层延伸到所述第二导电半导体层的顶表面并且被设置在所述透射电极层和所述第二导电半导体层之间。

14.根据权利要求10所述的发光器件，其中所述粘附层延伸到所述透射电极层的顶表面。

15.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一电极穿过所述粘附层且在垂直方向上与所述粘附层重叠。