[发明专利]有机发光显示装置用密封基板的制造方法以及该密封基板有效
申请号: | 201110039252.1 | 申请日: | 2011-02-15 |
公开(公告)号: | CN102403464A | 公开(公告)日: | 2012-04-04 |
发明(设计)人: | 李忠浩;李廷敏;南基贤 | 申请(专利权)人: | 三星移动显示器株式会社 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/52;H01L27/32;B32B15/08;B32B37/06;B32B37/10 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 余朦;王艳春 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示装置 密封 制造 方法 以及 | ||
技术领域
本发明涉及用于有机发光显示装置的有机发光显示装置用密封基板的制造方法以及有机发光显示装置用密封基板,更具体地,涉及制造工序简单、节省制造费用的有机发光显示装置用密封基板的制造方法以及有机发光显示装置用密封基板。
背景技术
有机发光显示装置通过密封基板对设置有有机发光器件(OLED)以及薄膜晶体管(TFT)等各种电子器件的下部基板密封而成。有别于这种密封基板,有机发光显示装置要具有向薄膜晶体管等施加电压的电源排线以及施加各种控制信号的控制信号排线。另外,最近正在开发密封基板上具有各种电源排线以及控制信号排线的结构。
但是为制造这种包括各种排线的密封基板,需要通过蚀刻以及镀金等,以在密封基板上制造排线部。因这种复杂的工序,会导致工序成本上升。并且生产线局限于制造26英寸以下的有机发光显示装置用密封基板,因此存在不能制造26英寸以上的大型有机发光显示装置用密封基板的缺点。
发明内容
本发明的实施例提供不使用蚀刻以及镀金在密封基板上制造排线,可使制造工序简单并且节省制造成本的有机发光显示装置用密封基板的制造方法以及有机发光显示装置用密封基板。
根据本发明的一方面,提供有机发光显示装置用密封基板的制造方法,包括:将未硬化的碳纤维树脂成型为具有上面以及下面的板状,在具有贯通孔的状态下将未硬化的绝缘树脂成型为围绕所述未硬化的碳纤维树脂的边缘,以制造复合板;将导电部件设置于所述贯通孔,将金属膜分别覆盖于所述复合板的上面以及下面;以及在层叠所述金属膜时,将所述复合板加热并加压,以硬化所述未硬化的碳纤维树脂以及绝缘树脂。
其中,在层叠所述金属膜后,还包括:切割所述金属膜,使设置有所述导电部件的部分与剩余部分隔离以绝缘。
其中,在切割所述金属膜后,还包括:将覆盖所述复合板上面的金属膜去除,所去除的金属膜为除设置有所述导电部件的部分以外的金属膜。
其中,所述绝缘树脂包括能够粘贴所述金属膜的、如环氧树脂的粘贴成分。
其中,在将金属膜分别覆盖于所述复合板的上面以及下面之前,还包括:在所述导电部件和所述金属膜之间设置导电膜。
其中,将所述复合板加热并加压的步骤为:将所述复合板加热到约110℃至140℃、加压到约10倍至100倍的大气压。
其中,所述碳纤维树脂包括能够粘贴所述金属膜的、如环氧树脂的粘贴成分。
其中,所述金属膜包括:铜、银和铝中的至少一种以上金属。
其中,所述导电部件为按扣型、块型或者“匸”型,所述导电部件包括:铜、铝、氧化铟锡(ITO)和银中的至少一种以上物质。
根据本发明的另一方面,提供有机发光显示装置用密封基板的制造方法,包括:将未硬化的碳纤维树脂成型为具有上面以及下面的板状,将未硬化的绝缘树脂成型为围绕所述未硬化的碳纤维树脂的边缘后,将所述碳纤维树脂和所述绝缘树脂硬化,以制造复合板;在所述复合板的边缘硬化的绝缘树脂上形成贯通孔,在所述贯通孔设置导电部件;将粘贴膜分别粘贴在所述复合板的上面以及下面;以及在所述复合板的上面以及下面,覆盖金属膜,并且加热并加压,以层叠所述金属膜。
其中,在层叠所述金属膜后,还包括:切割所述金属膜,使设置有所述导电部件的部分与剩余部分隔离以绝缘。
其中,在切割所述金属膜后,还包括:将覆盖所述复合板上面的金属膜去除,所去除的金属膜为除设置有所述导电部件的部分以外的金属膜。
其中,在将金属膜分别覆盖于所述复合板的上面以及下面之前,还包括:在所述导电部件和所述金属膜之间设置导电膜。
其中,对所述复合板加热并加压的步骤为:将所述复合板加热到约110℃至140℃、加压到约10倍至100倍的大气压。
其中,所述金属膜包括:铜、银和铝中的至少一种以上金属。
其中,所述导电部件为按扣型、块型或者“匸”型,并包括:铜、铝、氧化铟锡(ITO)和银中的至少一种以上物质。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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