[发明专利]美罗培南中间体的晶体及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种式(I)所示化合物的晶体，

其中使用Cu-Ka辐射，以2θ角度表示的X-射线粉末衍射，所述晶体在约5.16±1、约12.86±1、约15.5±1、约17.58±1、约18.34±1、约21.14±1和约21.52±1处有衍射峰。

2.根据权利要求1所述的晶体，其特征在于，其中使用Cu-Ka辐射，以2θ角度表示的X-射线粉末衍射，所述晶体在约15.5±1、约17.58±1和约18.34±1处的衍射峰的强度比为100∶95∶94。

3.根据权利要求1或2所述的晶体，其特征在于，其中使用Cu-Ka辐射，以2θ角度表示的X-射线粉末衍射，所述晶体的衍射峰如说明书附图3所示。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的晶体，其特征在于，所述晶体的熔点为161～163℃。

5.一种式(I)所示化合物的晶体，其中使用Cu-Ka辐射，以2θ角度表示的X-射线粉末衍射，所述晶体在约5.14±1、约12.84±1、约15.46±1、约17.54±1、约18.34±1、约21.06±1和约21.50±1处有衍射峰。

6.根据权利要求5所述的晶体，其特征在于，其中使用Cu-Ka辐射，以2θ角度表示的X-射线粉末衍射，所述晶体在约15.46±1、约17.54±1和约18.34±1处的衍射峰的强度比为100∶84∶100。

7.根据权利要求5或6所述的晶体，其特征在于，其中使用Cu-Ka辐射，以2θ角度表示的X-射线粉末衍射，所述晶体的衍射峰如说明书附图4所示。

8.根据权利要求5至7中任一项所述的晶体，其特征在于，所述晶体的熔点为160～164℃。

9.一种式(I)所示化合物的晶体的制备方法，该制备方法包括以下步骤：

将式(I)所示化合物溶解在有机溶剂中，增加其过饱和度，直到析出晶体，其中所述有机溶剂包含烷酸烷基酯与卤代烷烃；优选地，所述有机溶剂由烷酸烷基酯与卤代烷烃组成。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述烷酸烷基酯选自乙酸乙酯、甲酸乙酯、乙酸甲酯和甲酸甲酯中的一种或多种，优选为一种，更优选为乙酸乙酯；卤代烷烃选自二氯甲烷、三氯甲烷和1，2-二氯乙烷中的一种或多种，优选为一种，更优选为二氯甲烷。

11.根据权利要求9或10所述的制备方法，其特征在于，所述烷酸烷基酯与卤代烷烃的体积比为3∶1至1∶1，优选为1.2∶1；所述有机溶剂总体积与式I所示化合物的质量比为5～20∶1，优选为8～15∶1。

12.根据权利要求9至11中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述将式(I)所示化合物溶解在有机溶剂中的温度为10℃至有机溶剂的回流温度。

13.根据权利要求9至12中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述增加其过饱和度的方法选自降温、搅拌和滴加不良溶剂中的一种或多种。